[實(shí)用新型]光電指紋識(shí)別裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721627364.8
• 申請(qǐng)日: 2017-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207529397U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖佑平
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 維沃移動(dòng)通信有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06K9/00
• 分類(lèi)號(hào): G06K9/00
• 代理公司: 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種光電指紋識(shí)別裝置，包括發(fā)光陣列，所述發(fā)光陣列包括識(shí)別區(qū)和非識(shí)別區(qū)；所述發(fā)光陣列中包含第一發(fā)光單元以及第二發(fā)光單元，所述第一發(fā)光單元與所述第二發(fā)光單元沿一平面排布成平面陣列，其中，所述第一發(fā)光單元排布于所述識(shí)別區(qū)內(nèi)，所述第二發(fā)光單元排布于所述非識(shí)別區(qū)內(nèi)；所述第一發(fā)光單元在所述平面的投影面積小于所述第二發(fā)光單元在所述平面的投影面積。本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的光電指紋識(shí)別裝置能夠提高識(shí)別率。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及智能識(shí)別技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光電指紋識(shí)別裝置。

背景技術(shù)

如圖1所示，相關(guān)技術(shù)中，光學(xué)指紋識(shí)別裝置一般包括由若干發(fā)光單元100’組成的發(fā)光陣列10’、接收單元12’、觸摸屏14’以及處理器(圖中未示出)等。接收單元12’布置在發(fā)光陣列10’的下方，發(fā)光陣列10’處于接收單元12’的投影區(qū)域內(nèi)的部分便成為識(shí)別區(qū)，觸摸屏14’則覆蓋在發(fā)光陣列10’的上方。

光學(xué)指紋識(shí)別裝置的指紋成相原理為：當(dāng)手指2’按壓在觸摸屏14’上對(duì)應(yīng)識(shí)別區(qū)的位置時(shí)，發(fā)光單元10’會(huì)發(fā)射出特定形態(tài)的光(紅色或者藍(lán)色等)到手指2’上，指紋的波峰與波谷對(duì)發(fā)射光進(jìn)行吸收、反射或折射，形成帶有指紋信號(hào)的反射光，接收單元12’會(huì)感應(yīng)這些反射光并生成指紋圖像信息，再由處理器對(duì)指紋圖像信息進(jìn)行處理。

由于接收單元12’位于發(fā)光單元100’的下方，因此反射光需要通過(guò)發(fā)光單元100’的間隙后才能被接收單元12’所感應(yīng)(參見(jiàn)圖1中傳播路徑b)，在此過(guò)程中，會(huì)有大量的反射光被發(fā)光單元100’所遮擋(參見(jiàn)圖1中傳播路徑a)，這樣便會(huì)導(dǎo)致接收單元12’所接收到的有效信號(hào)非常少，從而會(huì)大幅降低光電指紋的識(shí)別率。

實(shí)用新型內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種光電指紋識(shí)別裝置，以光電指紋的識(shí)別率較低。

本申請(qǐng)實(shí)施例采用下述技術(shù)方案：

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種光電指紋識(shí)別裝置，包括發(fā)光陣列，所述發(fā)光陣列包括識(shí)別區(qū)和非識(shí)別區(qū)；

所述發(fā)光陣列中包含第一發(fā)光單元以及第二發(fā)光單元，所述第一發(fā)光單元與所述第二發(fā)光單元沿一平面排布成平面陣列，其中，所述第一發(fā)光單元排布于所述識(shí)別區(qū)內(nèi)，所述第二發(fā)光單元排布于所述非識(shí)別區(qū)內(nèi)；

所述第一發(fā)光單元在所述平面的投影面積小于所述第二發(fā)光單元在所述平面的投影面積。

優(yōu)選的，上述的光電指紋識(shí)別裝置中，每個(gè)所述第一發(fā)光單元在所述平面的投影均面積相同。

優(yōu)選的，上述的光電指紋識(shí)別裝置中，所述第一發(fā)光單元在所述平面的投影面積為所述第二發(fā)光單元在所述平面的投影面積的50％以上。

優(yōu)選的，上述的光電指紋識(shí)別裝置中，所述第一發(fā)光單元在所述平面的投影面積為所述第二發(fā)光單元在所述平面的投影面積的85％-95％。

優(yōu)選的，上述的光電指紋識(shí)別裝置中，由所述識(shí)別區(qū)的邊緣至所述識(shí)別區(qū)的中心，所排布的所述第一發(fā)光單元在所述平面的投影面積隨著所處位置與所述中心的接近而沿著至少一個(gè)維度逐漸減小。

優(yōu)選的，上述的光電指紋識(shí)別裝置中，由所述識(shí)別區(qū)的邊緣至所述識(shí)別區(qū)的中心，所排布的所述第一發(fā)光單元在所述平面的投影面積隨著所處位置與所述中心的接近而沿著兩個(gè)維度逐漸減小。

優(yōu)選的，上述的光電指紋識(shí)別裝置中，任意相鄰的兩個(gè)所述第一發(fā)光單元在所述平面的投影面積差均低于10％。

優(yōu)選的，上述的光電指紋識(shí)別裝置中，任一鄰接所述第二發(fā)光單元的所述第一發(fā)光單元在所述平面的投影面積均為所述第二發(fā)光單元在所述平面的投影面積的90％以上。

優(yōu)選的，上述的光電指紋識(shí)別裝置中，任一所述第一發(fā)光單元在所述平面的投影面積均為所述第二發(fā)光單元在所述平面的投影面積的50％以上。