[實用新型]一種改進的可避免環繞式鍍膜效應的顆粒物捕集阱

有效

• 申請號: 201721627171.2
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN207581915U
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 馬丁·森斯;孫偉明;賴納·霍夫曼;眭凌杰;巫仕才;姜其偉;楊興磊
• 申請（專利權）人: 福建新越金屬材料科技有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 泉州市博一專利事務所 35213
• 代理人: 方傳榜

1.一種改進的可避免環繞式鍍膜效應的顆粒物捕集阱，其特征在于：所述顆粒物捕集阱包括復數個L形壁架，所述L形壁架間平行對齊排列并固定在對稱遮板上。

2.如權利要求1所述的一種改進的可避免環繞式鍍膜效應的顆粒物捕集阱，其特征在于：所述L形壁架通過圓柱頭螺釘和螺母固定安裝在對稱遮板上。

3.如權利要求1所述的一種改進的可避免環繞式鍍膜效應的顆粒物捕集阱，其特征在于：所述對稱遮板設有鉆孔且鉆孔內設有內螺紋時，所述L形壁架通過平頭螺釘固定在所述對稱遮板上。

4.如權利要求1所述的一種改進的可避免環繞式鍍膜效應的顆粒物捕集阱，其特征在于：所述L形壁架通過夾鉗或卡鉗固定在對稱板上。

5.如權利要求1所述的一種改進的可避免環繞式鍍膜效應的顆粒物捕集阱，其特征在于：所述對稱遮板設置在濺射源對面，基材位于對稱遮板和濺射源之間，所述基材為金屬帶材，所述L形壁架與所述金屬帶材邊緣平行對齊。

6.如權利要求5所述的一種改進的可避免環繞式鍍膜效應的顆粒物捕集阱，其特征在于：所述L形壁架采用金屬片材，該L形壁架的安裝尺寸滿足h/w1≥5和w2/(h-d)≤1/5,其中h為L形壁架的內底面到基材背面的距離，w1為金屬帶材背面上環繞式鍍膜效應的可接受寬度，w2為一塊L形壁架到相鄰另一塊L形壁架的兩個朝向面之間一半的距離，d為L形壁架的頂端到基材背面的距離。

7.如權利要求5所述的一種改進的可避免環繞式鍍膜效應的顆粒物捕集阱，其特征在于：所述金屬帶材邊緣位置的公差范圍為最大金屬帶材邊緣位置向外延伸50mm以及最小金屬帶材邊緣位置向內延伸50mm，所述最大金屬帶材邊緣位置向外延伸50mm，則所述L形壁架的寬度可以向外延長超過50mm；所述最小金屬帶材邊緣位置向內延伸50mm，則所述L形壁架的寬度可以向內縮短50mm以內。