[實用新型]用于基板處理腔室的工藝套件以及處理腔室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721619387.4
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN207966931U
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: O·盧爾;L·多爾夫;S·斯里尼瓦杉;R·丁德薩;J·羅杰斯;D·M·庫薩
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 楊學(xué)春;侯穎媖

本申請涉及用于基板處理腔室的工藝套件以及處理腔室。本文中描述的實施例大體涉及一種基板處理設(shè)備。在一個實施例中，本文中公開了一種用于基板處理腔室的工藝套件。工藝套件包括：環(huán)，環(huán)具有第一環(huán)部件和第二環(huán)部件；可調(diào)整調(diào)諧環(huán)；以及致動機(jī)構(gòu)。第一環(huán)部件與第二環(huán)部件對接，使得第二環(huán)部件相對于第一環(huán)部件是可移動的，從而在這兩者之間形成間隙。可調(diào)整調(diào)諧環(huán)定位在環(huán)下方并且接觸第二環(huán)部件的底表面。可調(diào)整調(diào)諧環(huán)的頂表面接觸第二環(huán)部件。致動機(jī)構(gòu)與可調(diào)整調(diào)諧環(huán)的底表面對接。致動機(jī)構(gòu)被配置為致動可調(diào)整調(diào)諧環(huán)，使得第一環(huán)部件與第二環(huán)部件之間的間隙變化。

技術(shù)領(lǐng)域

本文中描述的實施例大體涉及一種基板處理設(shè)備，并且更特定地涉及一種用于基板處理設(shè)備的改進(jìn)的工藝套件。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點進(jìn)步使器件幾何結(jié)構(gòu)大小減小，基板邊緣臨界尺寸均勻性要求變得更加嚴(yán)格并且影響裸片良率。商用等離子體反應(yīng)器包括用于控制跨基板的工藝均勻性(例如，諸如溫度、氣流、RF功率，等等)的多個可調(diào)諧旋鈕。通常，在蝕刻工藝中，硅基板在被靜電夾緊到靜電卡盤的同時被蝕刻。

在處理期間，被擱置在基板支撐件上的基板可能經(jīng)歷在基板上沉積材料并且將材料的部分從基板去除、或蝕刻掉(通常以連續(xù)工藝或交替工藝進(jìn)行)的工藝。具有跨基板表面的均勻的沉積和蝕刻速率通常是有益的。然而，跨基板表面常常存在工藝的不均勻性，并且這種工藝的不均勻性可能在基板的周邊或邊緣處是顯著的。這些在周邊處的不均勻性可歸因于電場終止影響，并且有時稱為邊緣效應(yīng)。在沉積或蝕刻期間，有時提供含有至少沉積環(huán)的工藝套件以有利地影響在基板周邊或邊緣處的均勻性。

因此，一直需要一種用于基板處理設(shè)備的改進(jìn)的工藝套件。

實用新型內(nèi)容

本文中描述的實施例大體涉及一種基板處理設(shè)備。在一個實施例中，本文中公開了一種用于基板處理腔室的工藝套件。工藝套件包括：環(huán)；可調(diào)整調(diào)諧環(huán)；以及致動機(jī)構(gòu)。環(huán)具有第一環(huán)部件和第二環(huán)部件。第一環(huán)部件與第二環(huán)部件對接，使得第二環(huán)部件相對于第一環(huán)部件是可移動的，從而在這兩者之間形成間隙。可調(diào)整調(diào)諧環(huán)被定位在環(huán)下方并且接觸第二環(huán)部件的底表面。可調(diào)整調(diào)諧環(huán)具有頂表面和底表面。可調(diào)整調(diào)諧環(huán)的頂表面接觸第二環(huán)部件。致動機(jī)構(gòu)與可調(diào)整調(diào)諧環(huán)的底表面對接。致動機(jī)構(gòu)被配置為致動可調(diào)整調(diào)諧環(huán)，使得第一環(huán)部件與第二環(huán)部件之間的間隙變化。

在另一實施例中，本文中公開了一種處理腔室。處理腔室包括基板支撐構(gòu)件和工藝套件。基板支撐構(gòu)件被配置為支撐基板。工藝套件由基板支撐構(gòu)件支撐。工藝套件包括：環(huán)；可調(diào)整調(diào)諧環(huán)；以及致動機(jī)構(gòu)。環(huán)具有第一環(huán)部件和第二環(huán)部件。第一環(huán)部件與第二環(huán)部件對接，使得第二環(huán)部件相對于第一環(huán)部件是可移動的，從而在這兩者之間形成間隙。可調(diào)整調(diào)諧環(huán)被定位在環(huán)下方并且接觸第二環(huán)部件的底表面。可調(diào)整調(diào)諧環(huán)具有頂表面和底表面。可調(diào)整調(diào)諧環(huán)的頂表面接觸第二環(huán)部件。致動機(jī)構(gòu)與可調(diào)整調(diào)諧環(huán)的底表面對接。致動機(jī)構(gòu)被配置為致動可調(diào)整調(diào)諧環(huán)，使得第一環(huán)部件與第二環(huán)部件之間的間隙變化。

在另一實施例中，本文中公開了一種處理基板的方法。將基板定位在設(shè)置于基板處理腔室中的基板支撐構(gòu)件上。在基板上方創(chuàng)建等離子體。通過致動與邊緣環(huán)的部件對接的可調(diào)整調(diào)諧環(huán)來調(diào)整該部件的高度，以便改變在基板的邊緣處的離子的方向。

附圖說明

因此，為了詳細(xì)理解本公開內(nèi)容的上述特征結(jié)構(gòu)所用方式，上文所簡要概述的本公開內(nèi)容的更特定的描述可以參考實施例進(jìn)行，一些實施例示出在附圖中。然而，應(yīng)當(dāng)注意，附圖僅示出了本公開內(nèi)容的典型實施例，并且因此不應(yīng)視為限制本公開內(nèi)容的范圍，因為本公開內(nèi)容可允許其它等效實施例。

圖1是根據(jù)一個實施例的處理腔室的截面圖。

圖2A是根據(jù)一個實施例的圖1的處理腔室的放大局部截面圖。

圖2B是根據(jù)一個實施例的圖1的處理腔室的放大局部截面圖。