[實(shí)用新型]化學(xué)機(jī)械式研磨裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721616087.0
• 申請(qǐng)日: 2017-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN207534605U
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安俊鎬;孫昞澈;羅原在
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 凱斯科技股份有限公司
• 主分類號(hào): B24B37/015
• 分類號(hào): B24B37/015;B24B37/20;B24B37/27;B24B37/34
• 代理公司: 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

本實(shí)用新型涉及化學(xué)機(jī)械式研磨裝置，所述化學(xué)機(jī)械式研磨裝置包括：研磨墊，其與基板接觸；流體噴射模塊，其向研磨墊的表面噴射流體；流體保存器，其使從流體噴射模塊噴射的流體殘留于研磨墊的表面上；借助于此，可以獲得提高研磨效率性及研磨均勻度的有利效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及化學(xué)機(jī)械式研磨裝置，更詳細(xì)而言，涉及一種能夠縮短化學(xué)機(jī)械式研磨工序所需時(shí)間、提高研磨效率的化學(xué)機(jī)械式研磨裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體元件由微細(xì)的電路線高密度集成而制造，因此，在晶片表面進(jìn)行與此相應(yīng)的精密研磨。為了更精密地進(jìn)行晶片的研磨，如圖1及圖2所示，進(jìn)行不僅是機(jī)械式研磨而且并行化學(xué)式研磨的化學(xué)機(jī)械式研磨工序(CMP工序)。

即，在研磨盤10的上面，對(duì)晶片W加壓并相接的研磨墊11與研磨盤10一同旋轉(zhuǎn)11d，為了化學(xué)式研磨，一面通過供應(yīng)單元30的漿料供應(yīng)口32供應(yīng)漿料，一面對(duì)晶片W進(jìn)行基于摩擦的機(jī)械式研磨。此時(shí)，晶片W借助于承載頭20而在預(yù)定的位置進(jìn)行旋轉(zhuǎn)20d，進(jìn)行使之精密地平坦化的研磨工序。

與此同時(shí)，調(diào)節(jié)器40的調(diào)節(jié)盤被向下方加壓并旋轉(zhuǎn)40d，其臂41在往復(fù)41d規(guī)定角度的同時(shí)，使研磨墊11的表面改質(zhì)。

層疊于晶片W的研磨層以鎢等的金屬膜或氧化膜等多種材料形成。但是，如圖3所示，從實(shí)驗(yàn)上確認(rèn)了：與研磨層的種類無(wú)關(guān)，在化學(xué)機(jī)械式研磨工序的初始研磨步驟A1中，盡管研磨時(shí)間流逝，但研磨厚度79幾乎不變，只有到了經(jīng)過規(guī)定時(shí)間T1之后的主研磨步驟A2，化學(xué)機(jī)械式研磨工序的研磨量89才開始增加并達(dá)到最終研磨厚度dx。

但是，初始研磨步驟A1需要的時(shí)間T1為整個(gè)研磨時(shí)間Te的2/5至1/2左右，占較長(zhǎng)時(shí)間，因而存在在規(guī)定時(shí)間內(nèi)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械式研磨工序的生產(chǎn)率降低的問題。

特別是完成對(duì)晶片W的研磨工序后，直至供應(yīng)下一個(gè)研磨工序順序的晶片之前，研磨墊11保持待機(jī)狀態(tài)，在研磨墊11的待機(jī)狀態(tài)期間，研磨墊11的溫度下降，因而在下一個(gè)順序的研磨工序中，存在初始研磨步驟所需的時(shí)間增加的問題。

另外，隨著初始研磨步驟A1所需時(shí)間T1變長(zhǎng)，為了縮短對(duì)單位晶片的化學(xué)機(jī)械式研磨時(shí)間，在主研磨步驟A2中，將每單位時(shí)間的研磨量控制得較大，因而還存在無(wú)法在整個(gè)板面精巧地控制晶片研磨面的研磨厚度的問題。

為此，最近雖然進(jìn)行了旨在縮短化學(xué)機(jī)械式研磨工序所需時(shí)間、更精巧地控制研磨面的多種探討，但還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，因此要求對(duì)此的開發(fā)。

實(shí)用新型內(nèi)容

實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題

本實(shí)用新型目的在于提供一種能夠縮短化學(xué)機(jī)械式研磨工序所需時(shí)間，更精巧地控制研磨面的調(diào)節(jié)的化學(xué)機(jī)械式研磨裝置。

特別是本實(shí)用新型目的在于能夠使噴射于研磨墊的流體殘留，調(diào)節(jié)研磨墊的表面溫度，能夠提高研磨效率。

另外，本實(shí)用新型目的在于同時(shí)進(jìn)行研磨墊的溫度調(diào)節(jié)和研磨墊的清洗。

另外，本實(shí)用新型目的在于能夠縮短研磨時(shí)間，均勻地控制基板的研磨量。

另外，本實(shí)用新型目的在于能夠提高穩(wěn)定性及可靠性，能夠提高生產(chǎn)率。

另外，本實(shí)用新型目的在于能夠使研磨墊的表面溫度偏差導(dǎo)致的化學(xué)式研磨量偏差最小化，使得能夠提高基板的研磨品質(zhì)。

解決問題的技術(shù)方案

為了達(dá)到所述目的，本實(shí)用新型的化學(xué)機(jī)械式研磨裝置包括：研磨墊，其與基板接觸；流體噴射模塊，其向研磨墊的表面噴射流體；流體保存器，其使從流體噴射模塊噴射的流體殘留于研磨墊的表面上。

這是為了縮短基板的化學(xué)機(jī)械式研磨工序所需的時(shí)間，提高研磨效率。