[實用新型]一種離子植入機及其氣體冷卻監(jiān)控系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721615606.1 | 申請日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN207503930U | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 石志平;洪紀(jì)倫;倪明明;吳宗祐;林宗賢 | 申請(專利權(quán))人: | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/265 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 離子植入機 冷卻臺 冷氣管路 數(shù)據(jù)采集模塊 本實用新型 工作數(shù)據(jù) 監(jiān)控系統(tǒng) 氣體冷卻 單向閥 真空計 晶圓 供氣裝置連接 離子植入過程 氣體冷卻系統(tǒng) 反應(yīng)腔室 控制模塊 實時監(jiān)測 數(shù)據(jù)監(jiān)測 成品率 反應(yīng)腔 冷氣 室內(nèi) | ||
1.一種離子植入機,其特征在于,所述離子植入機至少包括:
反應(yīng)腔室,設(shè)置于所述反應(yīng)腔室內(nèi)的冷卻臺,所述冷卻臺通過設(shè)置于所述冷卻臺底部的冷氣管路與供氣裝置連接,所述冷氣管路上設(shè)置有第一單向閥,所述第一單向閥與所述冷卻臺之間的冷氣管路上連接有真空計。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子植入機,其特征在于:所述冷卻臺的底部設(shè)置有冷氣管路連接口,所述冷卻臺的上表面設(shè)置有出氣口,所述冷氣管路連接口與所述出氣口通過所述冷卻臺內(nèi)部的氣體通路連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的離子植入機,其特征在于:所述冷卻臺為圓形結(jié)構(gòu),所述出氣口設(shè)置于所述冷氣臺上表面的外側(cè)圓周上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子植入機,其特征在于:所述第一單向閥與所述供氣裝置之間設(shè)置有一三通閥;所述三通閥分別連接所述單向閥、所述供氣裝置及一排氣裝置,所述排氣裝置與所述三通閥之間的排氣管路上設(shè)置有第二單向閥。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子植入機,其特征在于:所述供氣裝置的輸出端設(shè)置有流量控制裝置。
6.一種離子植入機的氣體冷卻監(jiān)控系統(tǒng),其特征在于,所述離子植入機的氣體冷卻監(jiān)控系統(tǒng)至少包括:
如權(quán)利要求1~5任意一項所述的離子植入機;
連接于所述離子植入機的數(shù)據(jù)采集模塊;
從所述數(shù)據(jù)采集模塊獲取所述離子植入機的工作數(shù)據(jù),并根據(jù)工作數(shù)據(jù)對所述離子植入機進(jìn)行控制的數(shù)據(jù)監(jiān)測控制模塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的離子植入機的氣體冷卻監(jiān)控系統(tǒng),其特征在于:所述數(shù)據(jù)采集模塊連接所述離子植入機中各閥門、真空計及流量控制裝置中的一個或幾個。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的離子植入機的氣體冷卻監(jiān)控系統(tǒng),其特征在于:所述數(shù)據(jù)采集模塊還連接一直觀顯示監(jiān)控數(shù)據(jù)的監(jiān)控屏幕。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的離子植入機的氣體冷卻監(jiān)控系統(tǒng),其特征在于:所述數(shù)據(jù)采集模塊與所述數(shù)據(jù)監(jiān)測控制模塊之間還設(shè)置有對所有機臺數(shù)據(jù)進(jìn)行管理的IT數(shù)據(jù)中心。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于德淮半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)德淮半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721615606.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





