[實(shí)用新型]一種H橋的檢測(cè)系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721589004.3 | 申請(qǐng)日： | 2017-11-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN207488418U | 公開（公告）日： | 2018-06-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃濤濤;趙春波;魏榮峰;姚進(jìn)光;段勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市巴丁微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01R31/04 | 分類號(hào)： | G01R31/04 |
| 代理公司： | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明;洪銘福 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 檢測(cè)系統(tǒng) 電位比較電路 脈沖產(chǎn)生電路 本實(shí)用新型 電源負(fù)極端 采樣電阻 電位 連接狀態(tài)檢測(cè) 電路結(jié)構(gòu) 電源負(fù)極 連接狀態(tài) 脈沖輸入 檢測(cè) | ||
1.一種H橋的檢測(cè)系統(tǒng)，所述H橋的檢測(cè)系統(tǒng)包括第一H橋和第二H橋，所述第一H橋、第二H橋均用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)，所述第一H橋、第二H橋與電機(jī)連接；其特征在于，
所述H橋的檢測(cè)系統(tǒng)還包括脈沖產(chǎn)生電路、第一采樣電阻、第二采樣電阻和電位比較電路；所述脈沖產(chǎn)生電路的輸出端與第一H橋的電源負(fù)極端連接，用于輸出瞬時(shí)脈沖到第一H橋的電源負(fù)極端；所述第一H橋的電源負(fù)極端通過(guò)第一采樣電阻接地，所述第二H橋的電源負(fù)極端通過(guò)第二采樣電阻接地；所述第一采樣電阻的非接地端、第二采樣電阻的非接地端與電位比較電路的輸入端連接；所述電位比較電路用于當(dāng)瞬時(shí)脈沖輸入到第一H橋的電源負(fù)極端時(shí)，檢測(cè)第一H橋的電源負(fù)極端和第二H橋的電源負(fù)極端的電位是否一致，以判斷第一H橋和第二H橋的連接狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的H橋的檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述第一H橋包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述第一NMOS管的漏極、第二NMOS管的漏極作為第一H橋的電源正極端與電源正極連接，所述第一NMOS管的源極與第三NMOS管的漏極連接，所述第二NMOS管的源極與第四NMOS管的漏極連接，所述第三NMOS管的源極、第四NMOS管的源極作為第一H橋的電源負(fù)極端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的H橋的檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述第二H橋包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管，所述第五NMOS管的漏極、第六NMOS管的漏極作為第二H橋的電源正極端與電源正極連接，所述第五NMOS管的源極與第七NMOS管的漏極連接，所述第六NMOS管的源極與第八NMOS管的漏極連接，所述第七NMOS管的源極、第八NMOS管的源極作為第二H橋的電源負(fù)極端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的H橋的檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述電位比較電路包括電位比較器，所述第一采樣電阻的非接地端、第二采樣電阻的非接地端與電位比較器的輸入端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的H橋的檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述電位比較電路還包括單片機(jī)，所述電位比較器的輸出端與單片機(jī)的輸入端連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的H橋的檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述電位比較電路還包括檢測(cè)結(jié)果提示單元，所述單片機(jī)的輸出端與檢測(cè)結(jié)果提示單元的輸入端連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的H橋的檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測(cè)結(jié)果提示單元為指示燈和/或語(yǔ)音輸出單元和/或顯示單元。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市巴丁微電子有限公司，未經(jīng)深圳市巴丁微電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721589004.3/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量；測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置；電故障的探測(cè)裝置；以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試，例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試；測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
