[實用新型]晶圓處理裝置

有效

• 申請號: 201721587848.4
• 申請日: 2017-11-24
• 公開（公告）號: CN207517648U
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 溫子瑛;王吉
• 申請（專利權）人: 無錫華瑛微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林;錢能

本實用新型公開了一種晶圓處理裝置，其涉及半導體技術領域，該晶圓處理裝置包括：半導體處理裝置，其包括第一腔室部和第二腔室部，第一腔室部和第二腔室部之間形成有微腔室，第一腔室部具有第一通孔；進樣裝置，其包括能與第一通孔相連通的處理流體定量單元和與處理流體定量單元相連接的處理流體選擇單元，處理流體選擇單元能夠在提供的多種流體中選擇此次所需的流體種類，處理流體定量單元能使處理流體選擇單元定量量取所需流體；出樣裝置，出樣裝置能與半導體處理裝置的第一通孔相連通；管路控制裝置，管路控制裝置分別與進樣裝置、出樣裝置以及第一通孔相連接，其能夠控制出樣裝置、半導體處理裝置和出樣裝置之間的相互通斷。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，特別涉及一種晶圓處理裝置。

背景技術

目前集成電路逐漸被應用到很多領域中，比如計算機、通信、工業控制和消費性電子等。集成電路的制造業，已經成為和鋼鐵一樣重要的基礎產業。而晶圓是生產集成電路所用的載體。隨著集成電路尺寸的進一步減小，一方面晶圓硅材料本身所含有的雜質成為質量控制中需要檢測監控的要求，另外一方面在晶圓的生產和制備過程中都需要晶圓表面保持足夠的清潔程度，因此，在生產晶圓或對晶圓進行工藝加工的過程中，經常會出現需要對晶圓的表面或者內部進行檢測，以獲取晶圓表面或內部的雜質含量，從而確定晶圓是否滿足要求。

然而，在目前的現有技術中，一般都需要通過傳統設備對晶圓進行浸沒或噴射技術等的濕法處理，再對處理后的液體進行檢測以得到晶圓表面或內部的雜質含量。但是上述檢測方法中，缺乏專門的檢測晶圓用的裝置導致對晶圓的處理過程不夠快捷方便，其次，為了檢測晶圓雜質而用于對晶圓進行處理的液體較多，由于本身晶圓中的雜質已經較低，在后續對液體進行檢測以確定晶圓雜質含量的檢測過程中的檢測精度或準確度無法得到保證或不能夠進一步提高。因此，有必要提出一種專門用于檢測晶圓雜質的晶圓處理裝置以解決上述問題。

實用新型內容

為了克服現有技術的上述缺陷，本實用新型實施例所要解決的技術問題是提供了一種晶圓處理裝置，其能夠對晶圓進行處理，進而為對晶圓進行污染雜質檢測而做好前期準備。

本實用新型實施例的具體技術方案是：

一種晶圓處理裝置，其包括：

半導體處理裝置，所述半導體處理裝置包括第一腔室部和可相對于第一腔室部在打開位置和關閉位置之間移動的第二腔室部，第一腔室部和第二腔室部之間形成有微腔室，第一腔室部具有自外部穿過該第一腔室部以與所述微腔室連通的第一通孔；

進樣裝置，所述進樣裝置包括能與所述第一通孔相連通的處理流體定量單元和與所述處理流體定量單元相連接的處理流體選擇單元，所述處理流體選擇單元能夠在提供的多種流體中選擇此次所需的流體種類，所述處理流體定量單元能使所述處理流體選擇單元定量量取所需流體；

出樣裝置，所述出樣裝置能與所述半導體處理裝置的第一通孔相連通，其用于收集自所述半導體處理裝置的所述第一通孔排出的反應溶液；

管路控制裝置，所述管路控制裝置分別與所述進樣裝置、所述出樣裝置以及所述半導體處理裝置的所述第一通孔相連接，所述管路控制裝置能夠控制所述出樣裝置、所述半導體處理裝置和所述出樣裝置之間的相互通斷。

本實用新型的技術方案具有以下顯著有益效果：