[實用新型]一種用于制備HIBC電池的異質結非晶硅層的掩膜板

有效

• 申請號: 201721583334.1
• 申請日: 2017-11-23
• 公開（公告）號: CN207572391U
• 公開（公告）日: 2018-07-03
• 發明（設計）人: 盧剛;張治;楊振英;何鳳琴;鄭璐;張敏
• 申請（專利權）人: 青海黃河上游水電開發有限責任公司光伏產業技術分公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/0747;C23C16/04
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

本實用新型公開了一種用于制備HIBC電池的異質結非晶硅層的掩膜板，包括：底座和蓋板。所述底座包括容置凹槽，所述容置凹槽用于容置HIBC電池中待沉積異質結非晶硅層的基底。所述蓋板覆設在所述底座上，所述蓋板上設置有露出所述容置凹槽的開口，開口上設置有多個間隔排列的遮擋件，遮擋件將開口劃分為交錯間隔的遮擋區和開口區。在制備P區時，遮擋區用于遮擋P區和所述N區的間隔區域以及N區；在制備N區時，遮擋區用于遮擋P區和N區的間隔區域以及P區。所述掩膜板可避免對其他工序生成的非晶硅層的特性產生影響，起到保護已生成的非晶硅層的作用；而且所述掩膜板結構簡易，操作難度低，有利于提高生產效率。

技術領域

本實用新型涉及太陽能光伏技術領域，尤其是一種用于制備HIBC電池的異質結非晶硅層的掩膜板。

背景技術

HIBC電池(Hetero-junction Back Contact Cell，異質結背接觸耦合電池)是將HIT技術運用于IBC結構的太陽能電池。HIBC電池與HIT電池相比最大的特點是HIBC電池的前表面沒有柵線和電極，極大地降低了柵線和電極對太陽光的遮擋而造成光損失，確保了HIBC電池具有高的短路電流(Isc)和高的填充因子(FF)。在HIBC電池的硅襯底的正面先生長一個鈍化層，再沉積SiNx減反膜降低反射率；背面則先沉積一層本征非晶硅層，再沉積呈指狀交叉分布的N型非晶硅層和P型非晶硅層，最后用金屬化工藝制備HIBC電池背面的正、負電極。

目前要制備叉指狀分布的N型非晶硅層和P型非晶硅層，主要包括激光刻蝕和在掩膜保護下采用離子體增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)等沉積工藝進行沉積這兩種方案。激光刻蝕工藝后需要進行蒸鍍電極和高溫退火工藝，對HIBC電池的非晶硅層的性能具有一定影響，因此采用沉積工藝制備叉指狀分布的N型非晶硅層和P型非晶硅層更有利于提升HIBC電池的性能。由此，有必要提出一種掩膜板用于制備叉指狀分布的N型非晶硅層和P型非晶硅層。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型的目的在于提供一種用于制備HIBC電池的異質結非晶硅層的掩膜板，來解決上述問題。

為了實現上述的目的，本實用新型采用了如下的技術方案：

一種用于制備HIBC電池的異質結非晶硅層的掩膜板，所述異質結非晶硅層包括呈叉指狀排列的P區和N區。所述掩膜板包括底座和蓋板，所述底座包括容置凹槽，所述容置凹槽用于容置待沉積所述異質結非晶硅層的基底。所述蓋板覆設在所述底座上，所述蓋板上設置有暴露出所述容置凹槽的開口，所述開口上設置有多個間隔排列的遮擋件，所述遮擋件將所述開口劃分為交錯間隔的遮擋區和開口區。在制備所述P區時，所述遮擋區用于遮擋所述N區以及所述P區和所述N區的間隔區域。在制備所述N區時，所述遮擋區用于遮擋所述P區以及所述P區和所述N區的間隔區域。

優選地，所述遮擋件可拆卸地連接在所述蓋板上。

優選地，所述遮擋件與所述蓋板為一體成型。

優選地，所述蓋板可拆卸地連接在所述底座上。

優選地，所述底座上設置有定位銷，所述蓋板還包括定位孔，所述定位銷用于通過插接于所述定位孔內，將所述蓋板固定到所述底座上。

優選地，所述定位孔為長孔，所述定位銷可沿所述定位孔的孔內長度方向上進行平動。

優選地，所述定位銷的數目為多個，多個所述定位銷分別設置于所述底座的各個邊沿的中心線上。

優選地，所述底座上設置有與所述容置凹槽連通的缺口。

優選地，所述底座為鋁合金底座或鈦合金底座。