[實用新型]一種功率半導體集成式封裝用陶瓷模塊

有效

• 申請號: 201721574236.1
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN208240668U
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 吳朝暉;康為;郭曉泉;章軍
• 申請（專利權）人: 東莞市國瓷新材料科技有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/367;H01L23/538;H01L21/48
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
• 代理人: 吳成開;徐勛夫

1.一種功率半導體集成式封裝用陶瓷模塊，其特征在于：包括有陶瓷基板以及一體式金屬圍壩層；該陶瓷基板的下表面設置有導電線路層、絕緣層和散熱層，該絕緣層完全覆蓋住導電線路層，該散熱層位于非導電線路層的區域上并與導電線路層間隔分開，散熱層的厚度不低于導電線路層及絕緣層的總厚度；該陶瓷基板的上表面設置有正極焊盤、負極焊盤和多個固晶區，每一固晶區上均具有連接層和固晶層，該連接層和固晶層彼此間隔分開；且陶瓷基板上設置有垂直導通孔，垂直導通孔電連接于固晶區與導電線路層之間以及導電線路層與正極焊盤、負極焊盤之間，所述垂直導通孔采用外部金屬填充或者電鍍銅填充；該一體式金屬圍壩層設置于陶瓷基板的上表面上，一體式金屬圍壩層環繞于單個或者多個固晶區的周圍并與固晶區間隔分開，一體式金屬圍壩層的厚度大于固晶區的厚度。

2.根據權利要求1所述的一種功率半導體集成式封裝用陶瓷模塊，其特征在于：所述陶瓷基板為氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷或碳化硅陶瓷。

3.根據權利要求1所述的一種功率半導體集成式封裝用陶瓷模塊，其特征在于：所述導電線路層和散熱層均為電鍍銅材質，散熱層的厚度大于導電線路層的厚度。

4.根據權利要求1所述的一種功率半導體集成式封裝用陶瓷模塊，其特征在于：所述一體式金屬圍壩層為電鍍銅材質。

5.根據權利要求1所述的一種功率半導體集成式封裝用陶瓷模塊，其特征在于：所述正極焊盤、負極焊盤位于陶瓷基板上表面周邊，且與一體式金屬圍壩層間隔分開。