[實用新型]一種SiC肖特基二極管有效
| 申請號： | 201721572919.3 | 申請日： | 2017-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN207381407U | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發明（設計）人： | 朱繼紅;藺增金;趙小瑞;張志文 | 申請（專利權）人： | 北京燕東微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/24 | 分類號： | H01L29/24;H01L29/40;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 張雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic 肖特基 二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種SiC肖特基二極管，其特征在于，包括：
第一導電類型的SiC襯底；
第一導電類型的SiC外延層，設置在所述襯底的第一表面上，其中，
所述外延層的摻雜濃度小于所述襯底的摻雜濃度；
第一斜坡介質層，設置在所述外延層的遠離所述襯底的表面上，并在中間形成有開口，所述第一斜坡介質層具有斜坡結構；
第二斜坡介質層，設置在所述第一斜坡介質層上，并具有斜坡結構；
第一電極層，設置在所述襯底的第二表面上；以及
第二電極層，包括覆蓋所述開口的肖特基接觸區以及延伸到所述第一斜坡介質層和所述第二斜坡介質層的金屬場板結構。
2.如權利要求1所述的SiC肖特基二極管，其特征在于，所述第二斜坡介質層的介電常數小于所述第一斜坡介質層的介電常數。
3.如權利要求1所述的SiC肖特基二極管，其特征在于，所述第一斜坡介質的材料為SiO
4.如權利要求1所述的SiC肖特基二極管，其特征在于，所述第二斜坡介質的材料為HfO
5.如權利要求1所述的SiC肖特基二極管，其特征在于，所述第二斜坡介質的坡度大于或等于所述第一斜坡介質的所述坡度。
6.如權利要求1所述的SiC肖特基二極管，其特征在于，所述第一導電類型為N型。
7.如權利要求1所述的SiC肖特基二極管，其特征在于，所述第一導電類型為P型。
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