[實用新型]一種SiC結勢壘肖特基二極管有效
| 申請號： | 201721570348.X | 申請日： | 2017-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN207381410U | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發明（設計）人： | 朱繼紅;藺增金;趙小瑞;張志文 | 申請（專利權）人： | 北京燕東微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 張雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic 結勢壘肖特基 二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種SiC結勢壘肖特基二極管，其特征在于，包括：
第一導電類型的SiC襯底；
第一導電類型的SiC外延層，位于所述襯底的第一表面上，其中，所述外延層的摻雜濃度小于所述襯底的摻雜濃度；
結勢壘區，從外延層的遠離所述襯底的表面延伸進入所述外延層，所述結勢壘區包括多個第二導電類型的環狀或者條狀結構；
第二導電類型的SiC結終端擴展區，自所述結勢壘區的結終端向遠離所述結勢壘區的兩側延伸設置，所述摻雜濃度自所述結勢壘的結終端向兩側逐漸減小；
介質層，設置在所述外延層的遠離所述襯底的表面上且具有斜坡結構，并且所述斜坡結構自所述勢壘區的結終端起向兩側方向逐漸加厚，在與所述結勢壘區對應的部分形成開口；
第一電極層，設置在所述襯底的第二表面上；以及
第二電極層，包括覆蓋所述開口的肖特基接觸區和延伸到所述介質層上的場板結構。
2.如權利要求1所述的SiC結勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述介質層由SiO
3.如權利要求1所述的SiC結勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述第一導電類型為N型且所述第二導電類型為P型。
4.如權利要求1所述的SiC結勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述第一導電類型為P型且所述第二導電類型為N型。
5.如權利要求1所述的SiC結勢壘肖特基二極管，其特征在于，在所述第二電極層中，所述場板結構延伸到所述介質層上5-50μm。
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