[實用新型]一種功率MOS的過溫保護電路

有效

• 申請號: 201721561486.1
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN207490497U
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 黎曉英;余浩琪;趙波;李鄂勝;鄭海法
• 申請（專利權）人: 武漢奧澤電子有限公司
• 主分類號: H02H7/20
• 分類號: H02H7/20;H02H5/04
• 代理公司: 武漢智嘉聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 42231
• 代理人: 黃君軍

本實用新型公開了一種功率MOS的過溫保護電路，包括：溫度檢測模塊、關斷控制模塊、遲滯設置模塊、功率MOS；溫度檢測模塊檢測功率MOS溫度,并將功率MOS的溫度轉換為電壓信號；關斷控制模塊串聯在控制信號輸入端和功率MOS柵極之間，關斷控制模塊連接溫度檢測模塊、遲滯設置模塊，關斷控制模塊接收并比較溫度檢測模塊、遲滯設置模塊的輸出信號，根據比較結果切斷功率MOS的輸出或恢復功率MOS的輸出。與現有技術相比，本實用新型的有益效果包括：關斷控制模塊可根據功率MOS溫度關斷功率MOS輸出或恢復功率MOS輸出，可對功率MOS起到過溫保護作用，實用性強，方便靈活，不需要額外的電源供給或穩壓模塊。

技術領域

本實用新型涉及過溫保護技術領域，尤其是涉及一種功率MOS的過溫保護電路。

背景技術

功率MOS尤其工作在線性放大狀態時,會產生大量的熱量,需要使用過溫保護電路來防止器件由于散熱條件變差時產生熱擊穿而永久損壞。目前常采用的過溫保護方案,通常是在漏極回路使用熔斷器或附加大量的電源,采集、處理電路來實現，需要額外的電源供給或穩壓模塊，且結構復雜，不夠實用。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服上述技術不足，提出一種功率MOS的過溫保護電路，解決現有技術中的上述技術問題。

為達到上述技術目的，本實用新型的技術方案提供一種功率MOS的過溫保護電路，包括：溫度檢測模塊、關斷控制模塊、遲滯設置模塊、功率MOS；溫度檢測模塊檢測功率MOS溫度,并將功率MOS的溫度轉換為電壓信號；關斷控制模塊串聯在控制信號輸入端和功率MOS柵極之間，關斷控制模塊連接溫度檢測模塊、遲滯設置模塊，關斷控制模塊接收并比較溫度檢測模塊、遲滯設置模塊的輸出信號，根據比較結果切斷功率MOS的輸出或恢復功率MOS的輸出。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果包括：關斷控制模塊可根據功率MOS溫度關斷功率MOS輸出或恢復功率MOS輸出，可對功率MOS起到過溫保護作用，實用性強，方便靈活，不需要額外的電源供給或穩壓模塊。

附圖說明

圖1是本實用新型提供的一種功率MOS的過溫保護電路原理圖；

圖2是本實用新型提供的一種功率MOS的過溫保護電路圖。

附圖中：第一電阻為R1，第二電阻為R2，第三電阻為R3，第四電阻為R4，第五電阻為R5，熱敏電阻為T1，運算放大器為U1，功率MOS為Q1，第一二極管為D1。

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

本實用新型提供了一種功率MOS的過溫保護電路，包括：溫度檢測模塊、關斷控制模塊、遲滯設置模塊、功率MOS；溫度檢測模塊檢測功率MOS Q1溫度,并將功率MOS Q1的溫度轉換為電壓信號；關斷控制模塊串聯在控制信號輸入端和功率MOS Q1柵極之間，關斷控制模塊連接溫度檢測模塊、遲滯設置模塊，關斷控制模塊接收并比較溫度檢測模塊、遲滯設置模塊的輸出信號，根據比較結果切斷功率MOS Q1的輸出或恢復功率MOS Q1的輸出。

上述技術方案中，溫度檢測模塊包括熱敏電阻T1、第三電阻R3，熱敏電阻T1一端連接控制信號輸入端，熱敏電阻T1另一端連接第三電阻R3一端。溫度檢測模塊可使用NTC等熱敏器件,布置在功率MOS Q1附近并緊貼其散熱器。本實施例中，溫度檢測模塊使用負溫度系數的熱敏電阻T1，(也可以使用正溫度系數的熱敏電阻，如使用正溫度系數的熱敏電阻，只需要將熱敏電阻、第三電阻對調位置即可)；當功率MOS Q1的溫度上升時，熱敏電阻T1的阻值減小，第三電阻R3上的分壓值變大，溫度檢測模塊輸出電壓增大；反之，輸出電壓減小。