[實用新型]一種ESD器件串聯(lián)電阻的電阻結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721552287.4
• 申請日: 2017-11-20
• 公開（公告）號: CN207425853U
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設計）人: 李伊珂;李涅
• 申請（專利權(quán)）人: 清華四川能源互聯(lián)網(wǎng)研究院
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 郭彩紅;詹永斌

1.一種ESD器件串聯(lián)電阻的電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于：把多晶硅電阻分成N個小部分，每一小部分均通過各自對應的Contact連接到上部金屬層；每一小部分所對應的Contact及連接到上部金屬層構(gòu)成了一個獨立單元；所述上部金屬層采用金屬鋁材料；所述Contact采用金屬鋁材料或鋁合金材料；所述N為大于等于2的自然數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ESD器件串聯(lián)電阻的電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括Via結(jié)構(gòu)，每一小部分均通過各自對應的Contact和Via連接到上部金屬層；每一小部分所對應的Contact和Via及連接到上部金屬層構(gòu)成了一個獨立單元；所述Via和上部金屬層采用金屬鋁材料；所述Contact采用金屬鋁材料或鋁合金材料；所述N為大于等于2的自然數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ESD器件串聯(lián)電阻的電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述上部金屬層包括第一金屬層和頂部金屬層，Contact通過第一金屬層連接到Via，且Via連接到頂層金屬層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1到3之一所述的ESD器件串聯(lián)電阻的電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于：相鄰的所述獨立單元之間，Contact之間的邊緣距離在4um~8um之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ESD器件串聯(lián)電阻的電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述 Contact之間的邊緣距離為6um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1到3之一所述的ESD器件串聯(lián)電阻的電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述上部金屬層的平面形狀為正方形或長方形。