[實(shí)用新型]用于非侵入式射頻診療的柔性電極組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721549903.0
• 申請日: 2017-11-20
• 公開（公告）號: CN208492303U
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 毛容偉;張楊;王煒
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州瑞彼加醫(yī)療科技有限公司
• 主分類號: A61B18/14
• 分類號: A61B18/14
• 代理公司: 杭州中成專利事務(wù)所有限公司 33212
• 代理人: 金祺

本實(shí)用新型提供一種用于非侵入式射頻診療的柔性電極組件，包括依次連接的以柔性薄膜為基底的組件固定端、射頻電極集成區(qū)和組件懸浮端，射頻電極集成區(qū)的寬度比組件固定端和組件懸浮端的寬度都大，射頻電極集成區(qū)上設(shè)置有射頻電極陣列；所述射頻電極陣列包括至少一對射頻電極，射頻電極與電極引線連接，電極引線設(shè)置在組件固定端和射頻電極集成區(qū)上，射頻電極集成區(qū)的基底加上射頻電極的厚度小于或者等于200微米，電極集成區(qū)的外輪廓為平滑外輪廓；本實(shí)用新型能夠用比較少的射頻電極就能達(dá)到較大的射頻治療面積，同時降低了加工難度；柔性電極組件質(zhì)地柔軟，不會對腔體通道造成物理性損傷。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及醫(yī)療電子器械領(lǐng)域，尤其涉及一種用于非侵入式射頻診療的柔性電極組件。

背景技術(shù)

射頻治療在醫(yī)學(xué)上已經(jīng)有很多項前沿的應(yīng)用，通過貼附在組織表面上的射頻電極施加射頻功率。通常而言，射頻治療無需動手術(shù)，簡單方便，治療時間短。這種方法在腎、心臟治療方面已得到廣泛應(yīng)用，但主要是用于腫瘤癌癥的治療。而射頻治療在大型腔體上少有應(yīng)用，比如膀胱，子宮等等。以治療膀胱為例其使用的治療裝置必須通過細(xì)小的尿道口插入然后深入到膀胱，尿道的孔徑很狹小，但是膀胱充水后體積很大，其治療用的裝置必須容納相當(dāng)大的體積變化，然而金屬電極的拉伸變形非常有限，現(xiàn)有的射頻設(shè)備很難使用到像膀胱這樣的具有巨大內(nèi)腔體積的器官上，這給器械的研發(fā)和生產(chǎn)帶來挑戰(zhàn)。

現(xiàn)有的常規(guī)射頻電極采用的是剛性材料，比如金屬棒或者針狀金屬，舉例來說，專利CN201180026021(用于肺部處理的系統(tǒng)和方法)揭示了一種應(yīng)用到肺部清理使用的裝置，其中采用的電極是由金屬(例如鈦、不銹鋼等)制成的剛性管。相比較而言，剛性材料雖然可以很容易的送入到腔體中，但是缺乏必要的靈活性，很難控制這些電極產(chǎn)生較大角度的彎曲并和器官組織無縫貼合，而且由于這些電極是剛性的，與大型腔體體積大、形變大的特性不相容，因此很難應(yīng)用到大型腔體比如膀胱、子宮，胃等這樣的內(nèi)腔大而入口小的大型器官中。

大型腔體疾病的一個典型例子是由于膀胱神經(jīng)過度靈敏引起的尿頻尿失禁(Overactive Bladder，OAB)，這種疾病會給生活帶來很大的不便，尤其是45-60歲的婦女。治療OAB的方法有多種，包括行為治療、藥物治療、手術(shù)治療和射頻治療等。很多患者往往采用漠視忍受的態(tài)度，主要是因為現(xiàn)有治療方法不理想。行為治療的效果和患者是否堅持有很大關(guān)系，往往因為患者難以堅持而沒有效果。藥物治療比如抗膽堿能類，有一定的療效，但是不是每個人都有效，而且往往伴隨著很大的副作用。采用注入神經(jīng)毒素的方法有一定的療效，可是絕大部分患者不會選擇手術(shù)治療，而還是希望采用非侵入式的更安全的治療方法。射頻治療是一種比較理想的方法，但是由于膀胱體積很大，而且相比之下尿道口太小，普通的射頻設(shè)備無法應(yīng)用。

上面介紹的射頻治療在膀胱里的應(yīng)用只是其中一個典型例子而已，還有很多類似的例子，比如子宮肌瘤。射頻治療存在巨大的潛在市場，但是也存在很大的技術(shù)障礙，尤其需要一種能夠和腔體器官的內(nèi)表面組織無縫貼合的電極，只有克服了現(xiàn)有的技術(shù)難題，射頻治療才能在這些腔體器官里充分發(fā)揮其潛在價值。

因此，需要對現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種高效的用于非侵入式射頻診療的柔性電極組件。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種用于非侵入式射頻診療的柔性電極組件，包括依次連接的以柔性薄膜為基底的組件固定端、射頻電極集成區(qū)和組件懸浮端；所述射頻電極集成區(qū)的寬度比組件固定端和組件懸浮端的寬度都大；

所述射頻電極集成區(qū)上設(shè)置有射頻電極陣列；所述射頻電極陣列包括至少一對射頻電極，射頻電極與電極引線連接；所述電極引線設(shè)置在組件固定端和射頻電極集成區(qū)上；

所述射頻電極集成區(qū)的基底加上射頻電極的厚度小于或者等于200微米；

所述電極集成區(qū)的外輪廓為平滑外輪廓。