[實用新型]運用垂直螺旋式硅通孔電感的低通濾波器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721541664.4 | 申請日: | 2017-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN207705361U | 公開(公告)日: | 2018-08-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙文生;泮金煒;徐魁文;趙鵬;王高峰 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號: | H01P1/20 | 分類號: | H01P1/20;H01L23/64 |
| 代理公司: | 杭州君度專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 黃前澤 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅通孔 垂直螺旋式 低通濾波器 電容器 同軸 本實用新型 電感器 電感 減小 電感器構(gòu)造 導體損耗 二維結(jié)構(gòu) 輸出端口 輸入端口 元件物理 散射 延遲 流出 互聯(lián) | ||
本實用新型公開一種運用垂直螺旋式硅通孔電感的低通濾波器。本實用新型信號由輸入端口輸入,流過同軸硅通孔電容器,再流入垂直螺旋式硅通孔電感器,然后流入同軸硅通孔電容器,通過輸出端口流出。本實用新型利用同軸硅通孔電感器和垂直螺旋式硅通孔電感器構(gòu)造低通濾波器元件,減小元件物理尺寸。運用同軸硅通孔充當電容器,相較于傳統(tǒng)二維結(jié)構(gòu)電容器擁有較短的互聯(lián)長度,使得延遲時間、散射和導體損耗減小。此外垂直螺旋式硅通孔電感器的使用更是大大減少了低通濾波器的物理尺寸,而且提高了低通濾波器的各項性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型屬于無源電子器件技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種微波濾波器元件,尤其涉及一種運用硅通孔的無源低通濾波器結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
隨著無線通訊的發(fā)展,射頻微波電路在醫(yī)療設(shè)備、無線局域網(wǎng)和智能家居等方面得到了廣泛的應(yīng)用。隨著集成器件的不斷縮小,其中傳統(tǒng)的低通濾波器在占用面積和封裝成本上已無法滿足需求。
近年來,隨著三維集成電路的飛速發(fā)展,一種新興的集成電路制作工藝硅通孔工藝受到廣泛的關(guān)注。它能夠在三維集成電路的不同堆棧層之間提供垂直互聯(lián)。并且硅通孔技術(shù)可以提供更大的設(shè)計自由度和更好的電學性能來設(shè)計不同的元器件。通過硅通孔技術(shù)可以減少三維集成電路的傳輸損耗、降低功耗、節(jié)約芯片面積。將硅通孔技術(shù)引入無源低通濾波器的設(shè)計之中,低通濾波器的尺寸可以得到進一步縮小。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型針對目前的技術(shù)不足,提供了一種由同軸硅通孔電容器和垂直螺旋式硅通孔電感器構(gòu)成的超緊湊低通濾波器的設(shè)計方案。本實用新型具體為三階的巴特沃茲低通濾波器,使用同軸硅通孔做電容器,環(huán)狀垂直硅通孔做電感器來設(shè)計低通濾波器。
本實用新型低通濾波器由多個元件單元構(gòu)成,輸入輸出端口位于基底頂部的重新布局層。
所述元件單元包括位于基底頂部的重新布局層、位于基底中間的硅通孔陣列與同軸硅通孔陣列、位于基底底部的重新構(gòu)建層;
硅通孔陣列包括位于同一直線、等間距分布的六個硅通孔,從左至右定義為第一至第六硅通孔;同軸硅通孔陣列與硅通孔陣列平行設(shè)置,從左至右包括第一、第二同軸硅通孔;
第一硅通孔的重新布局層端與第一同軸硅通孔的重新布局層端通過金屬線連接,第二硅通孔的重新布局層端與第六硅通孔的重新布局層端通過金屬線連接,第三硅通孔的重新布局層端與第五硅通孔的重新布局層端通過金屬線連接,第四硅通孔的重新布局層端與第二同軸硅通孔的重新布局層端通過金屬線連接,第一硅通孔的重新構(gòu)建層端與第六硅通孔的重新構(gòu)建層端通過金屬線連接,第二硅通孔的重新布局層端與第五硅通孔的重新構(gòu)建層端通過金屬線連接,第三硅通孔的重新布局層端與第四硅通孔的重新構(gòu)建層端通過金屬線連接,將第一同軸硅通孔的重新布局層端作為整個器件信號輸入端口或與相鄰單元的信號輸出端口連接,將第二同軸硅通孔的重新布局層端作為整個器件信號輸出端口或與相鄰單元的信號輸入端口連接。
位于基底頂部的重新布局層、位于基底中間的硅通孔陣列、位于基底底部的重新構(gòu)建層構(gòu)成垂直螺旋式硅通孔電感器。硅通孔間的間距、硅通孔的高度與半徑?jīng)Q定垂直螺旋式硅通孔電感器的電感值。
位于基底頂部的重新布局層、位于基底中間的同軸硅通孔陣列構(gòu)成同軸硅通孔電容器。同軸硅通孔的高度、內(nèi)徑和外徑?jīng)Q定同軸硅通孔電容器電容值的大小。
同軸硅通孔由金屬內(nèi)芯、內(nèi)部絕緣層、金屬外環(huán)和外部絕緣層構(gòu)成,其中外部絕緣層用來隔離金屬和硅襯底,金屬內(nèi)芯、內(nèi)部絕緣層和金屬外環(huán)組成的環(huán)形結(jié)構(gòu)構(gòu)成電容器。內(nèi)部絕緣層通常選用高介電常數(shù)的材料來增大電容值。硅通孔電感器有由垂直硅通孔和水平的互聯(lián)線組成,通過改變硅通孔之間的間距和硅通孔的高度可以獲得不同的電感值。同軸硅通孔構(gòu)成的電容器和垂直螺旋式硅通孔電感器組成的低通濾波器與傳統(tǒng)的二維電路結(jié)構(gòu)相比,大大減小了低通濾波器的物理尺寸,而且可以提高低通濾波器的各項性能。
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