[實用新型]等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201721533870.0
• 申請日: 2017-11-16
• 公開（公告）號: CN207638963U
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發明（設計）人: 崔正秀;樸宇鐘
• 申請（專利權）人: INVENIA有限公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

本實用新型的實施例中的等離子體處理裝置包含：收容被處理基板的處理室、與被收容在所述處理室內的所述被處理基板相對地配置的天線結構體及在所述天線結構體和所述處理室之間配置的窗，所述天線結構體包含由天線導線在與所述窗的上面相對的兩個不同的虛擬平面之間以螺旋狀形成的天線部，所述天線部形成為，其所述兩個不同的虛擬平面之間的距離為在所述兩個不同的虛擬平面中與所述窗鄰近的平面和所述窗的下面之間的距離的兩倍以上。

技術領域

本實用新型涉及一種等離子體處理裝置，特別是生成等離子體并對顯示面板等的基板實施處理時所使用的等離子體處理裝置。

背景技術

在使用等離子體對基板實施CVD、蝕刻等處理的裝置中，比較多地使用對包含天線的裝置施加高頻電力，從而在天線周圍形成感應電場并產生等離子體的方式。

另一方面，隨著被處理的基板的大型化，處理裝置也逐漸大型化，為了對大型化的基板實施均勻的處理，使用具有多個天線的基板處理裝置漸漸變得普遍。

當具有多個天線的情況下，通常使用將螺旋狀的天線二維地配置的結構，此時，在鄰接的天線之間存在電流呈相反方向流動的區域，因此，在該區域的感應電場相互抵消，從而形成幾乎不生成等離子體或生成低密度等離子體的區域。

現有技術文獻

韓國專利公開號第10-2016-0012741號

實用新型內容

技術問題

本實用新型的目的在于，提供一種能夠生成更加均勻的等離子體的等離子體處理裝置。

本實用新型的目的不限于上述提及的目的，本領域普通技術人員可通過下面的記載明確地理解沒有提及的其他目的。

技術方案

為解決上述技術問題，本實用新型的實施例中的等離子體處理裝置包含：收容被處理基板的處理室、與被收容在所述處理室內的所述被處理基板相對地配置的天線結構體及在所述天線結構體和所述處理室之間配置的窗，所述天線結構體包含由天線導線在與所述窗的上面相對的兩個不同的虛擬平面之間以螺旋狀形成的天線部，所述天線部形成為，其所述兩個不同的虛擬平面之間的距離為在所述兩個不同的虛擬平面中與所述窗鄰近的平面和所述窗的下面之間的距離的兩倍以上。

所述天線部包含與第一方向平行配置的第一天線部和與第二方向平行配置的第二天線部，所述第一天線部的第一方向長度可以比所述第二天線部的第二方向長度短。

所述第一天線部的第一方向長度與所述第二天線部的第二方向長度之比可以在1：1.2至1：1.8之間。

所述第一天線部的所述兩個不同的虛擬平面之間的距離可以比所述第二天線部的所述兩個不同的虛擬平面之間的距離長。

所述第一天線部的天線導線的匝數可以比所述第二天線部的天線導線的匝數多。

所述第一天線部的所述兩個不同的虛擬平面之間的距離可以與所述第二天線部的所述兩個不同的虛擬平面之間的距離相等。

所述第一天線部的天線導線被展開成一條直線后的整體長度可以與所述第二天線部的天線導線被展開成一條直線后的整體長度相等。

所述第一天線部可以以形成虛擬的矩形的短邊的方式配置，所述第二天線部可以以形成所述虛擬的矩形的長邊的方式配置。

所述天線部還可以包含配置在所述虛擬的矩形的角部的第三天線部。

所述第三天線部，其位于在所述兩個不同的虛擬平面中與所述窗鄰近的平面上的天線導線中的一部分可以與所述第一方向平行，另一部分可以與所述第二方向平行。

本實用新型的其他具體事項包含在詳細描述及附圖中。

有益效果