[實用新型]異質(zhì)結(jié)太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721525455.0 | 申請日: | 2017-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN207425870U | 公開(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王進;彭福國;胡德政;徐希翔;李沅民 | 申請(專利權(quán))人: | 君泰創(chuàng)新(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/077 |
| 代理公司: | 北京維澳專利代理有限公司 11252 | 代理人: | 周放;解立艷 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶體硅 銀薄層 主柵線 異質(zhì)結(jié)太陽能電池 本征非晶硅層 透明導(dǎo)電膜層 電極 本實用新型 太陽能光伏組件 電極固化 焊接拉力 銀漿料 樹脂 沉積 | ||
本實用新型公開了一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池,其中,包括晶體硅、設(shè)置在晶體硅正反面的本征非晶硅層、設(shè)置在晶體硅正面的本征非晶硅層上的N型非晶硅層、設(shè)置在晶體硅背面的本征非晶硅層上的P型非晶硅層、設(shè)置在N型非晶硅層和P型非晶硅層上的透明導(dǎo)電膜層、設(shè)置在晶體硅正反面的透明導(dǎo)電膜層上的銀薄層以及設(shè)置在晶體硅正反面的銀薄層上的主柵線電極。本實用新型提供的異質(zhì)結(jié)太陽能電池,通過在透明導(dǎo)電膜層和主柵線電極之間沉積一層銀薄層,并通過銀漿料中樹脂的作用,使銀薄層和主柵線電極固化成在一起,從而增強了主柵線電極的焊接拉力,提升了太陽能光伏組件的可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池。
背景技術(shù)
異質(zhì)結(jié)太陽能電池具有高效率、低溫度系數(shù)、無LID和PID、可雙面發(fā)電以及成本下降空間大等優(yōu)點,被視為下一代可量產(chǎn)的高效電池之一。
對于異質(zhì)結(jié)太陽能電池的加工,由于其工藝溫度要求低于200℃,所以其絲網(wǎng)印刷用到的漿料為低溫銀漿料。但是,低溫銀漿料的焊接拉力較低,一般為1N/cm,甚至更低。而焊接拉力對組件的制備及后期組件的可靠性非常重要,焊接拉力偏低帶來的風(fēng)險是:第一,電池?zé)o法做成組件;第二,即便勉強做成組件,也可能無法通過組件可靠性測試。
當前常用的改善異質(zhì)結(jié)太陽能電池低溫銀漿料焊接拉力的方法如下:
1、增加低溫銀漿料中樹脂的含量,但這樣做的缺點是銀含量會隨之降低,導(dǎo)致漿料體電阻增大,做成電池后,電池填充因子會降低;
2、設(shè)計尺寸較大的絲印網(wǎng)版,以增加主柵線的寬度,但這樣做的缺點是增大了遮光面積,電池的短路電流會降低,且漿料的用量會增大,成本增加;
3、調(diào)整絲印網(wǎng)版的設(shè)計尺寸或調(diào)整印刷工藝,以增加主柵線的高度,這樣做的缺點是增大了漿料的用量,導(dǎo)致成本增加,且有可能造成印刷質(zhì)量不良。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的是提供一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池,以解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題,增大低溫銀漿料主柵線的焊接拉力,提升太陽能光伏組件的良率和可靠性。
本實用新型提供了一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池,其中,包括:
晶體硅;
設(shè)置在所述晶體硅正反面的本征非晶硅層;
設(shè)置在所述晶體硅正面的所述本征非晶硅層上的N型非晶硅層;
設(shè)置在所述晶體硅背面的所述本征非晶硅層上的P型非晶硅層;
設(shè)置在所述N型非晶硅層和所述P型非晶硅層上的透明導(dǎo)電膜層;
設(shè)置在所述晶體硅正反面的所述透明導(dǎo)電膜層上的銀薄層;
設(shè)置在所述晶體硅正反面的所述銀薄層上的主柵線電極。
如上所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池,其中,優(yōu)選的是,所述銀薄層的厚度范圍值為10~200nm。
如上所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池,其中,優(yōu)選的是,所述晶體硅的厚度范圍值為100~250um。
如上所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池,其中,優(yōu)選的是,所述本征非晶硅層的厚度范圍值為1~20nm。
如上所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池,其中,優(yōu)選的是,所述N型非晶硅層的厚度范圍值為1~20nm。
如上所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池,其中,優(yōu)選的是,所述P型非晶硅層的厚度范圍值為1~20nm。
如上所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池,其中,優(yōu)選的是,所述透明導(dǎo)電膜層的厚度范圍值為50~150nm。
如上所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池,其中,優(yōu)選的是,所述透明導(dǎo)電膜層上設(shè)置有細柵線電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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