[實用新型]一種半導體芯片有效
| 申請號： | 201721522986.4 | 申請日： | 2017-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN207381426U | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發明（設計）人： | 尋飛林;江漢;宋長偉;林忠寶;吳洪浩;徐志軍;李政鴻;林兓兓;蔡吉明 | 申請（專利權）人： | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 芯片 | ||
1.一種半導體芯片，其至少包括：
基板；
在所述基板上設置的N型半導體層；
在所述N型半導體層上設置的發光層；
在所述發光層上設置P型半導體層，形成外延層；
蝕刻局部外延層至N型層表面或N型層內部形成N型平臺；
分別在N型平臺和P型半導體層上設置N電極和P電極；
其特征在于：所述N電極與外延層之間的N型平臺上設置一絕緣限制層，所述絕緣限制層一端向上延伸至與P型層上表面齊平或高于P型層上表面，另一端向下嵌入N型層內，當注入電流時，發光層發出一定波長的光。
2.根據權利要求1所述的一種半導體芯片，其特征在于：所述絕緣限制層的寬度大于零，小于所述N電極的寬度。
3.根據權利要求1所述的一種半導體芯片，其特征在于：所述絕緣限制層向下嵌入的深度大于或等于N型層厚度。
4.根據權利要求1所述的一種半導體芯片，其特征在于：所述絕緣限制層向下嵌入的深度小于N型層厚度。
5.根據權利要求1所述的一種半導體芯片，其特征在于：所述絕緣限制層為二氧化硅材料層或氮化硅材料層。
6.根據權利要求1所述的一種半導體芯片，其特征在于：所述絕緣限制層的厚度小于或等于N型電極與外延層之間的垂直距離。
7.芯片根據權利要求1所述的一種半導體芯片，其特征在于：所述P型半導體層上還設置有透明導電層，所述絕緣限制層與透明導電層的上表面齊平或高于透明導電層的上表面。
8.根據權利要求1所述的一種半導體芯片，其特征在于：所述基板與N型半導體層之間包括一緩沖層。
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