[實用新型]一種多晶硅去頭尾裝置

有效

• 申請號: 201721508765.1
• 申請日: 2017-11-14
• 公開（公告）號: CN207711092U
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發明（設計）人: 何建志
• 申請（專利權）人: 浙江啟瑞電子有限公司
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

本實用新型涉及一種多晶硅去頭尾裝置，屬于多晶硅加工設備領域，包括底座，所述底座兩邊裝有側面支撐板，所述側面支撐板上設有支撐板凹槽，所述支撐板凹槽內裝有硅塊固定板，所述硅塊固定板上設有硅塊擋板和硅塊固定槽，所述硅塊固定板下方裝有氣缸，所述側面支撐板上裝有轉輪支柱，所述轉輪支柱外端裝有傳動輪，所述傳動輪通過傳動帶連接在電機上。本實用新型結構簡單，操作方便，可以同時進行三塊多晶硅硅塊的兩端去頭尾，提高了多晶硅的處理加工效率，節省了生產的時間，減少了因移動翻轉多晶硅造成的硅塊損壞等可能性，實用性強。

技術領域

本實用新型屬于多晶硅加工設備領域，主要涉及一種多晶硅去頭尾裝置。

技術背景

多晶硅是單質硅的一種形態，具有半導體性質，是極為重要的優良半導體材料。多晶硅又是生產單晶硅的直接原料，是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。被稱為“微電子大廈的基石”。從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料。

單晶硅和多晶硅的區別是，當熔融的單質硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。例如在力學性質、電學性質等方面，多晶硅均不如單晶硅。多晶硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質了，一般的半導體器件要求硅的純度6N以上。大規模集成電路的要求更高，硅的純度必須達到9N，人們已經能制造出純度為12N的單晶硅。單晶硅是電子計算機、自動控制系統等現代科學技術中不可缺少的基本材料。

多晶硅的生產技術主要為改良西門子法和硅烷法。西門子法通過氣相沉積的方式生產柱狀多晶硅，為了提高原料利用率和環境友好，在前者的基礎上采用了閉環式生產工藝即改良西門子法。該工藝將工業硅粉與HCl反應，加工成 SiHCl3，再讓SiHCl3在H2氣氛的還原爐中還原沉積得到多晶硅。還原爐排出的尾氣H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2和HCl經過分離后再循環利用。硅烷法是將硅烷通入以多晶硅晶種作為流化顆粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶種上沉積，從而得到顆粒狀多晶硅。改良西門子法和硅烷法主要生產電子級晶體硅，也可以生產太陽能級多晶硅。

多晶硅片的生產流程主要包括:多晶原料清洗、檢測→坩堝噴涂→多晶鑄錠→硅錠剖方→硅塊檢驗→去頭尾→磨面、倒角→粘膠→切片→硅片脫膠→硅片清洗→硅片的包裝。在多晶硅鑄錠完成后，由于多晶硅鑄錠生產工藝的原因，造成多晶硅塊頭尾中含有較多雜質，形成雜質區。頭尾雜質區不能用于切片，因此切片前需要用切割設備將多晶硅塊頭尾部分的雜質區去掉，這個過程就是去頭尾。目前多晶硅塊去頭尾切割工序通常采用電鍍金剛石內圓切割片為切割工具，一次只能一個內圓切割片進行切割工作，多晶硅塊的頭尾分兩次切割完成，因此切割效率不高，另外內圓切割片裝夾不方便，費用較高，使得設備的使用受到極大地局限性，因此需要一種結構簡單、成本低、切割效率高的多晶硅去頭尾裝置以解決目前常見設備的缺點。

發明內容

為了提高多晶硅的處理加工效率，節省了生產的時間，本實用新型提供一種多晶硅去頭尾裝置，可同時進行三塊多晶硅硅塊的兩端去頭尾處理，操作方便且實用性很強。

本實用新型所采用的設計方案是：一種多晶硅去頭尾裝置，包括底座1，所述底座1兩邊裝有側面支撐板2，所述側面支撐板2上設有支撐板凹槽3，所述支撐板凹槽3內裝有硅塊固定板4，所述硅塊固定板4上設有硅塊擋板12和硅塊固定槽13，所述硅塊固定板4下方裝有氣缸5，所述側面支撐板2上裝有轉輪支柱9，所述轉輪支柱9外端裝有傳動輪6，所述傳動輪6通過傳動帶7連接在電機8上，所述轉輪支柱9內端裝有轉輪10，所述轉輪10通過電鍍金剛石帶鋸11傳動。

本實用新型提供的設計方案中，所述側面支撐板2的結構一樣，所述氣缸5、傳動輪6、傳動帶7和電機8均有兩個，分別位于側面支撐板2的兩側。