[實用新型]絕緣柵雙極晶體管及IPM模塊

有效

• 申請號: 201721508276.6
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN207338383U
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發明（設計）人: 馮宇翔;甘弟
• 申請（專利權）人: 廣東美的制冷設備有限公司;美的集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/423
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國

1.一種絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，包括:

半導體襯底；

形成在所述半導體襯底第一表面的有源區；

所述有源區包括溝槽柵極區；所述溝槽柵極區包括自所述半導體襯底的第一表面開設的溝槽、覆蓋在所述溝槽的內壁面的柵極氧化層、填充于所述溝槽中的多晶層和自所述第一表面覆蓋于所述多晶層的頂部的絕緣層，所述柵極氧化層的厚度為0.15-0.2um。

2.如權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述絕緣層的厚度為0.9-1.1um。

3.如權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，覆蓋于所述溝槽底部的所述柵極氧化層的厚度大于覆蓋于溝槽內周壁的所述柵極氧化層的厚度。

4.如權利要求3所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，覆蓋于所述溝槽內周壁上的所述柵極氧化層厚度為0.15-0.2um。

5.如權利要求3所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，覆蓋于溝槽底部的所述柵極氧化層厚度為0.15-1.2um。

6.如權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述溝槽的寬度為1.5-2um。

7.如權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述溝槽的深度為5-6um。

8.如權利要求1至7任意一項所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述溝槽的數量為多個，多個所述溝槽之間的間距為5-6um。

9.如權利要求1至7任意一項所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，所述半導體襯底還包括與所述第一表面相對設置的第二表面；所述絕緣柵雙極晶體管還包括形成在所述第一表面的漂移區，以及形成在所述第二表面的集電極區；所述有源區還包括阱區以及發射極區，所述阱區的摻雜濃度小于或等于4*1016/cm-3；所述發射極區的摻雜濃度大于或等于5*1019/cm-3；所述集電極區的摻雜濃度小于或等于8*1017/cm-3。

10.一種IPM模塊，其特征在于，包括如權利要求1至9任意一項所述的絕緣柵雙極晶體管。