[實用新型]絕緣密封結構及儲能器件

有效

• 申請號: 201721507311.2
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN207651539U
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 祝建勛
• 申請（專利權）人: 山東圣泉新能源科技有限公司
• 主分類號: H01M2/08
• 分類號: H01M2/08;H01G11/82
• 代理公司: 北京恩赫律師事務所 11469
• 代理人: 趙文成

1.一種絕緣密封結構，其特征在于，包括電極引出結構、用于連接外殼的負極蓋和設置在所述電極引出結構與負極蓋之間的絕緣墊和密封圈，其中：

所述電極引出結構包括用于連接芯體的集流體、作為負極的極柱以及設置于所述集流體和極柱之間的轉接柱，所述轉接柱的外緣上設置有凹槽；

所述負極蓋的端部設置有用于套設所述轉接柱的第一通孔，所述絕緣墊設置于所述凹槽與第一通孔之間，所述絕緣墊的上端搭設在所述凹槽的上臺階面與所述負極蓋的上端面之間，所述密封圈設置在所述凹槽的下臺階面與第一通孔的下端面之間。

2.根據權利要求1所述的絕緣密封結構，其特征在于，所述凹槽為設置于所述轉接柱外緣上的通過翻邊處理得到的環形凹槽。

3.根據權利要求1所述的絕緣密封結構，其特征在于，所述凹槽為由所述轉接柱的上端面與所述集流體的上端面之間圍成的環形凹槽。

4.根據權利要求1至3中任一所述的絕緣密封結構，其特征在于，所述負極蓋上位于所述第一通孔的下端設置有與所述第一通孔同軸并且直徑大于所述第一通孔的直徑的第二通孔，所述第一通孔的深度小于所述凹槽的深度，所述密封圈設置于所述第二通孔的臺階面與所述凹槽的下臺階面之間。

5.根據權利要求4所述的絕緣密封結構，其特征在于，所述密封圈為O型圈。

6.根據權利要求1至3任一所述的絕緣密封結構，其特征在于，所述轉接柱的端面上設置有用于與所述極柱間隙配合的第三通孔，所述轉接柱與極柱之間在所述轉接柱上的第三通孔的上端焊接連接，所述轉接柱的下端與所述集流體焊接連接。

7.根據權利要求6所述的絕緣密封結構，其特征在于，所述轉接柱的上端設置有與所述第三通孔同軸且直徑大于所述第三通孔直徑的第四通孔，所述轉接柱與極柱之間在所述極柱與第四通孔形成的溝槽內焊接連接。

8.根據權利要求6所述的絕緣密封結構，其特征在于，所述極柱的外緣上與所述第三通孔的上部相對應的位置設置有環形缺口。

9.根據權利要求8所述的絕緣密封結構，其特征在于，所述極柱上位于環形缺口的上端設置有直徑小于所述環形缺口的直徑的凸臺。

10.一種儲能器件，其特征在于，包括外殼、設置于所述外殼內部的芯體和權利要求1至9任一所述的絕緣密封結構，所述外殼與負極蓋之間、所述芯體的上端與集流體之間均采用焊接連接。