[實用新型]一種DO-41增強功率裝置有效
| 申請號： | 201721494985.3 | 申請日： | 2017-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN207853460U | 公開（公告）日： | 2018-09-11 |
| 發明（設計）人： | 李運鵬;郭小紅;黃傳傳;李強 | 申請（專利權）人： | 薩銳微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H02H9/04 | 分類號： | H02H9/04;H03L1/00;H03L5/02 |
| 代理公司： | 上海宣宜專利代理事務所(普通合伙) 31288 | 代理人： | 劉君 |
| 地址： | 200000 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 放大器組件 精密元器件 芯片 凸臺 本實用新型 功率放大 功率裝置 上連接部 下連接部 隔離層 瞬態抑制二極管 電路板 高科技發展 導線并聯 功能增強 擊穿電壓 面積減少 能力加強 瞬態功率 低成本 漏電流 體積小 浪涌 電子產品 | ||
【權利要求書】：
1.一種DO-41增強功率裝置，其特征在于：包括上連接部(1)、放大器組件(2)和下連接部(3)，上連接部(1)下方設置有放大器組件(2)，放大器組件(2)下方設置有下連接部(3)，放大器組件(2)包括上方凸臺(4)、下方凸臺(5)和芯片(6)，上方凸臺(4)下方設置有芯片(6)，芯片(6)下方設置有下方凸臺(5)，放大器組件(2)通過導線(8)并聯連接瞬態抑制二極管(9)。
2.根據權利要求1所述的一種DO-41增強功率裝置，其特征在于，芯片(6)包括精密元器件層(7)、隔離層(10)和功率放大層(11)，功率放大層(11)外層設置有精密元器件層(7)，精密元器件層(7)外層設置有隔離層(10)。
3.根據權利要求1所述的一種DO-41增強功率裝置，其特征在于，上方凸臺(4)和下方凸臺(5)為正方形凸臺，上方凸臺(4)和下方凸臺(5)的直徑為1.2mm。
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