[實(shí)用新型]一種晶硅太陽能電池SiO2鈍化工序用雙噴淋裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721482927.9 | 申請日: | 2017-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN207398161U | 公開(公告)日: | 2018-05-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊永平;陳陽泉;錢金梁;孫光輝 | 申請(專利權(quán))人: | 潤峰電力有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 272000 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能電池 sio2 鈍化 工序 噴淋 裝置 | ||
一種晶硅太陽能電池SiO2鈍化工序用雙噴淋裝置包括待處理的電池片、位于電池片上方的噴淋裝置及抽氣裝置,所述噴淋裝置為兩組呈相對設(shè)置的噴淋裝置,所述電池片置于兩組噴淋裝置之間,所述兩組噴淋裝置的兩側(cè)端均設(shè)置有抽氣裝置,在兩組噴淋裝置及四組抽氣裝置運(yùn)行狀態(tài)下,抽氣口設(shè)置在外側(cè),增加了氣氛區(qū)的面積,使硅片在氣氛區(qū)的時間變長,電池邊緣及側(cè)面受到鈍化氣體的處理更充分,從而鈍化效果更好,增加鈍化氣體與電池片的接觸次數(shù),增加鈍化效果,特別是對電池背面的邊緣裸露區(qū)域以及電極與鋁背場之間的裸露區(qū)域,實(shí)現(xiàn)了電池背面和側(cè)面的全鈍化。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于晶硅太陽能電池制作領(lǐng)域,具體涉及一種對晶硅太陽能電池片一步實(shí)現(xiàn)雙面SiO2鈍化裝置。
背景技術(shù)
當(dāng)前常規(guī)電池為提高抗PID效果,一般通過O3或笑氣處理電池片擴(kuò)散后絨面,在電池p-n結(jié)與氮化硅膜層之間生長一層SiO2層,利用SiO2層的高致密性阻擋金屬Na離子浸入p-n結(jié)。同時,SiO2與Si匹配性更好;可有效降低Si表面的界面態(tài)密度,減少硅片表面的高復(fù)合缺陷,對硅片表面有更好的鈍化作用,從而提高電池的性能。
晶硅太陽能電池的背面高復(fù)合缺陷也是晶硅太陽能電池需要改善和解決的重要問題;由于硅片背面的鋁背場距離電池邊緣存在約0.5~1mm的距離,這部分區(qū)域的硅未經(jīng)過鈍化處理而直接裸露在外面,是電池背面高復(fù)合的重要來源之一;背面銀電極與鋁背場交界的地方也存在裸露的硅,也是電池背面高復(fù)合的重要來源之一。
目前利用SiO2鈍化處理硅片一般僅鈍化處理硅片的絨面,硅片的背面SiO2鈍化處理僅在PERC等特殊結(jié)構(gòu)的高效電池上有少量使用,而且工藝復(fù)雜,并需要特殊的設(shè)備,成本太高;并且缺少SiO2的雙面鈍化處理設(shè)備,常規(guī)設(shè)備為單面SiO2鈍化處理設(shè)備,如現(xiàn)有技術(shù)CN 105839194 A,為了充分使電池單面鈍化,只能進(jìn)行單面鈍化工藝,而在單面鈍化后,又需要將電池片翻轉(zhuǎn)進(jìn)行另一面的鈍化;之所以現(xiàn)有技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)雙面鈍化,是因為鈍化過程需要首先保證鈍化的效果,而如果同時進(jìn)行雙面鈍化,就需要保證電池片背面的鈍化氣體能夠存在足夠的時間,從而完成有效鈍化,但恰恰由于現(xiàn)有技術(shù)無法解決這一問題,導(dǎo)致只能進(jìn)行單面鈍化,單面鈍化完畢后翻轉(zhuǎn)電池片才能進(jìn)行反面鈍化,這一缺陷,大大增加了生產(chǎn)成本,并增加了耗時。
該工藝方法較繁瑣,且需要2臺以上的SiO2鈍化處理設(shè)備,不適合大規(guī)模推廣使用,且抽風(fēng)組件設(shè)置于噴淋組件下方,O3直接被抽走,噴淋區(qū)邊緣直接與外部環(huán)境相連,受外部氣流影響較大,較難形成穩(wěn)定的O3氣氛區(qū),從而在電池表面生成的SiO2鈍化層均勻性較差。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述缺陷,本發(fā)明提供一種晶硅太陽能電池SiO2鈍化工序用雙噴淋裝置,其通過采用抽氣裝置相對設(shè)置,從而穩(wěn)定氣氛區(qū)溢出的氣體抽走,在三個方向氣體干擾的情況下,有效在電池片背面形成氣氛區(qū),增加鈍化氣流的存在時間,同時對鈍化氣流進(jìn)行擾動,從而增加鈍化氣體的覆蓋均勻性,從而增加鈍化效果,一步實(shí)現(xiàn)電池片的雙面鈍化。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種晶硅太陽能電池SiO2鈍化工序用雙噴淋裝置包括待處理的電池片、位于電池片上方的噴淋裝置及抽氣裝置,所述噴淋裝置為兩組呈相對設(shè)置的噴淋裝置,所述電池片置于兩組噴淋裝置之間,所述兩組噴淋裝置的兩側(cè)端均設(shè)置有抽氣裝置,在兩組噴淋裝置及四組抽氣裝置運(yùn)行狀態(tài)下,抽氣裝置對噴淋裝置所噴淋的氣體進(jìn)行干擾,分別在電池片上方及電池片下方形成氣氛區(qū),從而對電池片雙面進(jìn)行有效鈍化;本技術(shù)方案通過分別在電池片上方的噴淋裝置兩側(cè)端及電池片下方的噴淋裝置兩側(cè)端設(shè)置抽氣裝置,從而同時在電池片頂面上方及電池片背面下方形成氣流相互干擾下形成穩(wěn)定的氣氛區(qū),從而增加鈍化氣體擾動性,增加鈍化氣體與電池片的接觸次數(shù),從而增加鈍化效果,特別是對電池背面的邊緣裸露區(qū)域以及電極與鋁背場之間的裸露區(qū)域,實(shí)現(xiàn)了電池背面和側(cè)面的全鈍化,從而提升了電池的性能,同時簡化了電池制造工藝步驟,省去了翻片設(shè)備等設(shè)備投入,降低了生產(chǎn)制造成本。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于潤峰電力有限公司,未經(jīng)潤峰電力有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721482927.9/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:軸流風(fēng)扇以及冰箱
- 下一篇:非接觸式智能溫度檢測系統(tǒng)
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 納米SiO2復(fù)合玻璃棉隔板
- 一種在SiC材料上生長SiO<sub>2</sub>鈍化層的方法
- 張應(yīng)力 LPCVD SiO<sub>2</sub>膜的制造方法
- 一種SiO<sub>2</sub>減反射薄膜及其制備方法
- CVD SiC/SiO<sub>2</sub>梯度抗氧化復(fù)合涂層及其制備方法
- 通過由蒸汽相沉積和借助液體硅氧烷原料制造合成石英玻璃的方法
- 一種用于SiO<sub>2</sub>陶瓷及SiO<sub>2</sub>陶瓷基復(fù)合材料連接的釬料及其制備方法
- 熒光SiO2膠體試劑的制備方法及使用熒光SiO2膠體試劑的試紙
- 一種SiO2/GQDs–DNA–Au NPs納米復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用
- 色彩可調(diào)的光子晶體裝飾涂層及其制備方法





