[實用新型]CMOS低壓差線性穩壓器、芯片有效
| 申請號： | 201721481483.7 | 申請日： | 2017-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN207337258U | 公開（公告）日： | 2018-05-08 |
| 發明（設計）人： | 聶海;宋登明;王銀 | 申請（專利權）人： | 成都市海芯微納電子科技有限公司;成都信息工程大學 |
| 主分類號： | G05F1/567 | 分類號： | G05F1/567;G05F1/569;G05F1/573 |
| 代理公司： | 成都天匯致遠知識產權代理事務所(普通合伙) 51264 | 代理人： | 韓曉銀 |
| 地址： | 610093 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmos 低壓 線性 穩壓器 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種CMOS低壓差線性穩壓器，其特征在于，包括依次連接的偏置電路、帶隙基準源電路、誤差放大電路、過溫保護電路、過流保護電路以及輸出電路；
所述偏置電路，采用與電源電壓無關以及與溫度系數相反的電阻串聯的偏置結構；
所述帶隙基準源電路，采用與絕對溫度成正比的電流型帶隙基準結構；
所述誤差放大電路，采用三級運放結構；
所述過溫保護電路，由比較器、溫度檢測控制電路和溫度回滯控制電路構成；
所述過流保護電路，由比較器和電流采樣控制電路構成；
所述輸出電路，采用功率調整管和負載級聯的結構。
2.根據權利要求1所述的CMOS低壓差線性穩壓器，其特征在于，還包括補償電路，所述補償電路采用反向增益級結構，所述過流保護電路通過所述補償電路和所述輸出電路連接。
3.根據權利要求1所述的CMOS低壓差線性穩壓器，其特征在于，所述三級運放結構的第一級為誤差放大器，第二級為緩沖器，第三級為PMOS功率管。
4.根據權利要求2所述的CMOS低壓差線性穩壓器，其特征在于，所述反向增益級結構包括兩個補償電容。
5.一種芯片，包括芯片本體和權利要求1-4任一項所述的CMOS低壓差線性穩壓器。
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