[實(shí)用新型]一種發(fā)聲裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721479329.6
• 申請(qǐng)日: 2017-11-08
• 公開（公告）號(hào): CN207638872U
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 霍亮;劉巖濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 歌爾科技有限公司
• 主分類號(hào): H04R9/06
• 分類號(hào): H04R9/06;H04R9/02
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 王昭智;馬佑平

本實(shí)用新型涉及發(fā)聲裝置，包括殼體、設(shè)置在殼體內(nèi)的振膜，以及兩個(gè)對(duì)稱設(shè)置在振膜兩側(cè)的磁路系統(tǒng)，還包括兩個(gè)對(duì)稱分布在振膜兩側(cè)的音圈，每個(gè)音圈的一端連接在振膜上，另一端與對(duì)應(yīng)的磁路系統(tǒng)配合在一起；每個(gè)磁路系統(tǒng)均包括磁軛以及設(shè)置在磁軛上的磁鐵；磁軛包括底部，以及形成在底部四周位置的側(cè)壁部；磁鐵設(shè)置有四個(gè)，分布在底部的四周位置，且每個(gè)磁鐵與對(duì)應(yīng)的側(cè)壁部圍成了磁路系統(tǒng)的磁間隙。本實(shí)用新型的發(fā)聲裝置，即使振膜發(fā)生較大的位移，音圈依然可以與磁路系統(tǒng)中磁密度較高的區(qū)域配合在一起，從而可以大大降低發(fā)生裝置的低頻失真。而且磁路系統(tǒng)中的磁軛為一體的，簡化了部件的裝配，而且提高了結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電聲轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種發(fā)聲裝置。

背景技術(shù)

揚(yáng)聲器是電子設(shè)備中重要的聲學(xué)器件，其包括殼體、安裝在殼體中振膜、固定連接在振膜上的音圈及磁路系統(tǒng)。其中，音圈位于磁路系統(tǒng)形成的磁間隙中，當(dāng)音圈在接收到音頻信號(hào)時(shí)，其在磁路系統(tǒng)的作用下帶動(dòng)振膜振動(dòng)，從而策動(dòng)周圍空氣發(fā)聲，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)電能至聲能的轉(zhuǎn)換。

這種傳統(tǒng)的揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)，當(dāng)其工作在低頻條件時(shí)，音圈會(huì)產(chǎn)生較大的位移。此時(shí)磁路系統(tǒng)對(duì)音圈的作用力大大減弱，加上此時(shí)振膜勁度系數(shù)的影響，會(huì)造成較大的低頻THD失真。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的一個(gè)目的是提供了一種發(fā)聲裝置。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種發(fā)聲裝置，包括殼體、設(shè)置在殼體內(nèi)的振膜，以及磁路組件，所述磁路組件包括兩個(gè)對(duì)稱設(shè)置在振膜兩側(cè)的磁路系統(tǒng)，還包括兩個(gè)對(duì)稱分布在振膜兩側(cè)的音圈，每個(gè)音圈的一端連接在振膜上，另一端與對(duì)應(yīng)的磁路系統(tǒng)的磁間隙配合在一起；

所述每個(gè)磁路系統(tǒng)均包括磁軛以及設(shè)置在磁軛上的磁鐵；所述磁軛包括底部，以及形成在底部四周位置的側(cè)壁部；所述磁鐵分布在底部的四周位置，且與對(duì)應(yīng)的側(cè)壁部圍成了磁路系統(tǒng)的磁間隙。

可選地，所述側(cè)壁部形成在底部的邊緣位置。

可選地，在所述磁軛底部的中心區(qū)域形成有鏤空；所述側(cè)壁部形成在鏤空的側(cè)壁位置。

可選地，所述殼體具有中空內(nèi)腔，在所述殼體內(nèi)壁上形成有用于安裝磁路系統(tǒng)的端面。

可選地，在每個(gè)磁鐵的端面上還設(shè)置有華司。

可選地，所述華司與殼體注塑在一起，且所述華司從殼體上露出；所述磁鐵貼裝在華司上。

可選地，所述殼體包括對(duì)稱分布在振膜兩側(cè)的第一殼體、第二殼體，所述振膜夾持在第一殼體、第二殼體之間；且兩個(gè)磁路系統(tǒng)分別設(shè)置在第一殼體、第二殼體上。

可選地，所述振膜為平面型振膜。

可選地，在所述振膜上設(shè)置有球頂。

可選地，所述球頂設(shè)置有兩個(gè)，貼裝在振膜的兩側(cè)。

本實(shí)用新型的發(fā)聲裝置，由于采用了兩個(gè)對(duì)稱分布在振膜兩側(cè)的磁路系統(tǒng)，無論當(dāng)振膜朝向哪一側(cè)發(fā)生較大的位移時(shí)，總有一側(cè)的音圈可以深入到磁路系統(tǒng)的磁間隙中；也就是說，即使振膜發(fā)生較大的位移，音圈依然可以與磁路系統(tǒng)中磁密度較高的區(qū)域配合在一起，從而可以大大降低發(fā)生裝置的低頻失真。

而且磁路系統(tǒng)中的磁軛為一體的，簡化了部件的裝配，而且提高了結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度。

通過以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

附圖說明

構(gòu)成說明書的一部分的附圖描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，并且連同說明書一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。

圖1是本實(shí)用新型發(fā)聲裝置的剖面圖。

圖2是本實(shí)用新型發(fā)聲裝置的部分結(jié)構(gòu)爆炸圖。