[實(shí)用新型]坩堝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721475927.6 | 申請日: | 2017-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN207552431U | 公開(公告)日: | 2018-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 袁建南;羅武峰;蔡曉義;柯賢軍;蘇君海;李建華 | 申請(專利權(quán))人: | 信利(惠州)智能顯示有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 葉劍 |
| 地址: | 516029 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 阻擋盤 坩堝本體 容置腔 通孔 灰化 蒸發(fā)材料 錯開 蒸鍍 坩堝 開口 本實(shí)用新型 圓柱體結(jié)構(gòu) 良率 粘附 連通 平行 阻擋 | ||
1.一種坩堝,其特征在于,包括坩堝本體和若干阻擋盤;
所述坩堝本體具有圓柱體結(jié)構(gòu),內(nèi)部開設(shè)有容置腔,且所述坩堝本體開設(shè)有一開口,所述開口與所述容置腔連通;
各所述阻擋盤均設(shè)置于所述容置腔內(nèi),且各所述阻擋盤分別平行于所述坩堝本體的徑向;
各所述阻擋盤分別開設(shè)有若干通孔,相鄰的兩個所述阻擋盤的各所述通孔分別一一錯開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的坩堝,其特征在于,至少一個所述阻擋盤上設(shè)置有若干過濾顆粒。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的坩堝,其特征在于,各所述過濾顆粒的粒徑大于所述通孔的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的坩堝,其特征在于,各所述過濾顆粒設(shè)置于與所述坩堝本體的底部距離最大的所述阻擋盤上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的坩堝,其特征在于,各所述阻擋盤等距設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的坩堝,其特征在于,所述阻擋盤具有圓形截面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的坩堝,其特征在于,各所述通孔繞所述阻擋盤的圓心等距設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的坩堝,其特征在于,各所述通孔繞所述阻擋盤的圓心呈放射狀設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的坩堝,其特征在于,所述阻擋盤的數(shù)量為三個。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的坩堝,其特征在于,還包括蓋體,所述蓋體與所述坩堝本體的所述開口的邊緣連接,所述蓋體蓋設(shè)于所述開口,且所述蓋體開設(shè)有通口,所述通口與所述開口連通。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





