[實用新型]一種薄膜晶體管及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721474517.X | 申請日: | 2017-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN207199630U | 公開(公告)日: | 2018-04-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王曉 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/786 | 分類號: | H01L29/786;H01L23/367 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)44280 | 代理人: | 袁江龍 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄膜晶體管 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,特別涉及一種薄膜晶體管及顯示裝置。
背景技術
目前薄膜晶體管已廣泛應用于液晶顯示技術、有機電致發(fā)光顯示技術以及集成電路等方面,例如作為有源陣列顯示裝置中像素單元的開關,或者所為陣列基板行驅(qū)動的基本單元,形成柵極驅(qū)動電路。通過薄膜晶體管制備的顯示裝置,工藝流程更簡單,面板的集成度更高,因此,薄膜晶體管在平板顯示技術中發(fā)揮重要的作用。
本實用新型的發(fā)明人在長期的研發(fā)中發(fā)現(xiàn),薄膜晶體管一般采用透明的玻璃作為基板,氮化硅或氧化硅材料作為柵絕緣層,有源層設置在基板或柵絕緣層上,由于玻璃、氮化硅和氧化硅的導熱率較低,當流過有源層的電流較大時,產(chǎn)生的熱量無法通過基板或柵絕緣層快速傳導到周圍環(huán)境中,容易引起薄膜晶體管的自熱效應,使薄膜晶體管的工作參數(shù),例如閾值電壓、開態(tài)電流(Ion)、關態(tài)電流(Ioff)和亞閾值擺幅等發(fā)生改變,從而影響薄膜晶體管的正常工作狀態(tài)。
實用新型內(nèi)容
本實用新型提供一種薄膜晶體管及顯示裝置,以解決現(xiàn)有技術中薄膜晶體管的有源層熱量無法發(fā)散,影響薄膜晶體管的正常工作狀態(tài)的技術問題。
為解決上述技術問題,本實用新型采用的一個技術方案是提供一種薄膜晶體管,包括:
柵極、源極、漏極、有源層和熱傳輸層;
其中,所述熱傳輸層設置于所述有源層的一側(cè)。
為解決上述技術問題,本實用新型采用的另一個技術方案是提供一種顯示裝置,包括如上述的薄膜晶體管。
本實用新型通過在薄膜晶體管的有源層一側(cè)設置熱傳輸層,使得有源層的熱量能夠迅速傳導到周圍環(huán)境中,避免薄膜晶體管的自熱效應影響到正常的工作狀態(tài)。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖,其中:
圖1是本實用新型薄膜晶體管一實施例的結(jié)構示意圖;
圖2是圖1所示的薄膜晶體管在基板與有源層之間增加熱傳輸層的一實施例的結(jié)構示意圖;
圖3是圖1所示的薄膜晶體管在有源層與柵絕緣層之間增加熱傳輸層的一實施例的結(jié)構示意圖;
圖4是圖1所示的薄膜晶體管分別在基板與有源層之間、有源層與柵絕緣層之間增加熱傳輸層的一實施例的結(jié)構示意圖;
圖5是本實用新型薄膜晶體管另一實施例的結(jié)構示意圖;
圖6是圖5所示的薄膜晶體管在基板與有源層之間增加熱傳輸層的一實施例的結(jié)構示意圖;
圖7是圖5所示的薄膜晶體管在有源層與柵絕緣層之間增加熱傳輸層的一實施例的結(jié)構示意圖;
圖8是圖5所示的薄膜晶體管分別在基板與有源層之間、有源層與柵絕緣層之間增加熱傳輸層的一實施例的結(jié)構示意圖;
圖9是本實用新型薄膜晶體管又一實施例的結(jié)構示意圖;
圖10是圖9所示的薄膜晶體管在有源層遠離柵絕緣層一側(cè)增加熱傳輸層的一實施例的結(jié)構示意圖;
圖11是圖9所示的薄膜晶體管在有源層與柵絕緣層之間增加熱傳輸層的一實施例的結(jié)構示意圖;
圖12是圖9所示的薄膜晶體管分別在有源層遠離柵絕緣層一側(cè)、有源層與柵絕緣層之間增加熱傳輸層的一實施例的結(jié)構示意圖;
圖13是本實用新型薄膜晶體管再一實施例的結(jié)構示意圖;
圖14是圖13所示的薄膜晶體管在有源層遠離柵絕緣層一側(cè)增加熱傳輸層的一實施例的結(jié)構示意圖;
圖15是圖13所示的薄膜晶體管在有源層與柵絕緣層之間增加熱傳輸層的一實施例的結(jié)構示意圖;
圖16是圖13所示的薄膜晶體管分別在有源層遠離柵絕緣層一側(cè)、有源層與柵絕緣層之間增加熱傳輸層的一實施例的結(jié)構示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,均屬于本實用新型保護的范圍。
參見圖1,本實用新型薄膜晶體管一實施例包括:
基板101;
有源層102,設置于基板101上;
源極103和漏極104,設置于有源層102上;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
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H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
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