[實(shí)用新型]一種有機(jī)薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721474413.9
• 申請日: 2017-11-07
• 公開（公告）號: CN207199625U
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐洪遠(yuǎn)
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280
• 代理人: 袁江龍

1.一種有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

所述基板上形成有由第一金屬層和透明電極層形成的數(shù)據(jù)線、源極、漏極以及像素電極，其中所述源極和所述漏極之間形成有溝道區(qū)；

所述溝道區(qū)上形成有源層、柵極絕緣層、柵極并延伸形成掃描線；

鈍化層，覆蓋在所述基板上并裸露所述像素電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述溝道區(qū)包括所述源極和所述漏極之間的第一溝道區(qū)及所述源極和所述漏極上方的透明電極層之間的第二溝道區(qū)，所述有源層包括填入所述第一溝道區(qū)的第一有源層和填入所述第二溝道區(qū)的第二有源層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有源層進(jìn)一步包括第三有源層，所述第三有源層覆蓋在所述透明電極層的邊緣。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一金屬層為銀金屬層，所述透明電極層為銦錫氧化物ITO層，其中，所述數(shù)據(jù)線、所述像素電極為銀金屬層和銦錫氧化物ITO層的雙層復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述源極、所述漏極為單層銀金屬層的裸露結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述源極、所述漏極、所述數(shù)據(jù)線和所述像素電極在同一光罩制程中形成，所述有源層、所述柵極絕緣層、所述柵極和所述掃描線在同一光罩制程中形成。

6.一種顯示裝置，包括有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)薄膜晶體管陣列基板包括：

基板；

所述基板上形成有由第一金屬層和透明電極層形成的數(shù)據(jù)線、源極、漏極以及像素電極，其中所述源極和所述漏極之間形成有溝道區(qū)；

所述溝道區(qū)上形成有源層、柵極絕緣層、柵極并延伸形成掃描線；

鈍化層，覆蓋在所述基板上并裸露所述像素電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述溝道區(qū)包括所述源極和所述漏極之間的第一溝道區(qū)及所述源極和所述漏極上方的透明電極層之間的第二溝道區(qū)，所述有源層包括填入所述第一溝道區(qū)的第一有源層和填入所述第二溝道區(qū)的第二有源層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述有源層進(jìn)一步包括第三有源層，所述第三有源層覆蓋在所述透明電極層的邊緣。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一金屬層為銀金屬層，所述透明電極層為銦錫氧化物ITO層，其中，所述數(shù)據(jù)線、所述像素電極為銀金屬層和銦錫氧化物ITO層的雙層復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述源極、所述漏極為單層銀金屬層的裸露結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述源極、所述漏極、所述數(shù)據(jù)線和所述像素電極在同一光罩制程中形成，所述有源層、所述柵極絕緣層、所述柵極和所述掃描線在同一光罩制程中形成。