[實用新型]一種基于反饋和電流復用可拓展高頻帶寬的低噪放電路

有效

• 申請號: 201721470506.4
• 申請日: 2017-11-07
• 公開（公告）號: CN207460104U
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 王曉鋒;李國儒;劉家瑞;周蘇萍;李浩明;王騰佳;陳旭斌;沈玉鵬
• 申請（專利權）人: 杭州城芯科技有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/48;H03F3/193
• 代理公司: 杭州天昊專利代理事務所(特殊普通合伙) 33283
• 代理人: 董世博

1.一種基于反饋和電流復用可拓展高頻帶寬的低噪放電路，其特征在于，包括NMOS管的偏置電壓電路、PMOS管共模反饋偏置電路、四個MOS管分別為MOS管Mn1、MOS管Mn2、MOS管Mp1、MOS管Mp2、四個電阻分別為電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電感L1、三個電容分別為電容C1、電容C2、電容C3；

所述電容C3的一端作為單端輸入vin，并與反向器的輸入端、MOS管Mn2的S極、電感L1的一端連接，所述電感L1的另一端接地，所述MOS管Mn2的D極與電阻R2的一端、MOS管Mp2的D極連接處作為單端輸出vout，MOS管Mn2的G極與MOS管Mn1的G極、電容C1的一端、電阻R1的一端電性連接，電阻R1的另一端作為Vbias與NMOS管的偏置電壓電路連接；所述MOS管Mn1的S極接地，MOS管Mn1的D極與電容C3的另一端、電阻R2的另一端、電阻R3的一端、MOS管Mp1的D極連接；所述MOS管Mp1的G極與電阻R4的一端、電容C2的一端、MOS管Mp2的G極連接，MOS管Mp1的S極與電阻R3的另一端、MOS管Mp2的S極連接；所述電阻R4的另一端作為Vcmfb與PMOS管共模反饋偏置電路連接；所述電容C2的另一端、電容C1的另一端與反向器的輸出端連接；所述MOS管Mp1的S極、MOS管Mp2的S極與電源連接。

2.根據權利要求1所述的一種基于反饋和電流復用可拓展高頻帶寬的低噪放電路，其特征在于，所述NMOS管的偏置電壓電路采用恒定電流源、NMOS管，所述NMOS管的D極、G極與恒定電流源的一端連接，NMOS管的S極接地，所述恒定電流源的另一端與電源連接。

3.根據權利要求1所述的一種基于反饋和電流復用可拓展高頻帶寬的低噪放電路，其特征在于，所述PMOS管共模反饋偏置電路采用運算放大器、兩個電阻，所述運算放大器的輸出端產生共模反饋偏置電壓，所述運算放大器的一輸入端與基準電壓連接，所述運算放大器的另一輸入端與兩個電阻的一端連接，所述兩個電阻的另一端分別為兩個差分輸出端。