[實(shí)用新型]一種超低本底α放射性測(cè)量裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721463635.0
• 申請(qǐng)日: 2017-11-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207281295U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐琳;廖先莉;余松科
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都大學(xué)
• 主分類號(hào): G01T1/167
• 分類號(hào): G01T1/167
• 代理公司: 成都華風(fēng)專利事務(wù)所(普通合伙)51223
• 代理人: 徐豐,張巨箭

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及核輻射測(cè)量的氣體探測(cè)器領(lǐng)域，尤其涉及一種超低本底α放射性測(cè)量裝置。

背景技術(shù)

低水平測(cè)量中由于樣品計(jì)數(shù)率較低，測(cè)量系統(tǒng)自身的本底干擾是限制測(cè)量能力最重要的因素。這一部分本底主要由探測(cè)器內(nèi)壁材料中的α放射性成分貢獻(xiàn)，因此對(duì)超低本底多絲正比計(jì)數(shù)器的優(yōu)化實(shí)際上就是對(duì)不同方向入射α粒子的篩選，只探測(cè)樣品發(fā)射的α粒子，屏蔽測(cè)量系統(tǒng)發(fā)射的α粒子。

國(guó)內(nèi)目前常用的流氣式正比計(jì)數(shù)器結(jié)構(gòu)如圖1所示，假定α1為樣品發(fā)射的α粒子；α2為與陽(yáng)極絲平行的側(cè)壁發(fā)射的α粒子；α3為與陽(yáng)極絲垂直的側(cè)壁發(fā)射的α粒子；α4為腔體上蓋發(fā)射的α粒子，探測(cè)絲直徑為微米級(jí)，相對(duì)于正比室它的放射性干擾我們可以忽略不計(jì)。其中α1為樣品發(fā)射的需要被探測(cè)的α粒子，α2、α3和α4為測(cè)量系統(tǒng)發(fā)射的不希望被探測(cè)的本底。在低本底α測(cè)量中，測(cè)量系統(tǒng)本身的輻射干擾會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生很大的影響，為了得到更高的測(cè)量效率，提出一種針對(duì)超低本底α放射性測(cè)量裝置的優(yōu)化方法是很有必要的。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種超低本底α放射性測(cè)量裝置，減少現(xiàn)有技術(shù)側(cè)壁和上蓋發(fā)射的α粒子影響測(cè)量的問(wèn)題。

本實(shí)用新型的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的：一種超低本底α放射性測(cè)量裝置，包括外殼、探測(cè)絲、絲支撐、氣嘴和絕緣子；所述的外殼底部設(shè)置有放置樣品的安裝腔；所述的探測(cè)絲的兩端均設(shè)置有絲支撐，探測(cè)絲兩端的絲支撐分別通過(guò)各自的絕緣子與外殼的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁固定連接；所述的氣嘴有兩個(gè)，分別設(shè)置于外殼的另外兩個(gè)側(cè)壁上；所述的裝置還包括屏蔽絲，所述的屏蔽絲的兩端均設(shè)置有絲支撐，屏蔽絲兩端的絲支撐也分別通過(guò)各自的絕緣子與外殼的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁固定連接，屏蔽絲固定的側(cè)壁與探測(cè)絲固定的側(cè)壁相同；所述的探測(cè)絲接收樣品發(fā)射的α粒子，所述的屏蔽絲接收外殼側(cè)壁和外殼上蓋發(fā)射的α粒子。

進(jìn)一步地，所述的探測(cè)絲和屏蔽絲均與側(cè)壁平行設(shè)置。

進(jìn)一步地，所述的探測(cè)絲和屏蔽絲均為鍍金鎢絲。

進(jìn)一步地，通過(guò)所述的氣嘴進(jìn)入測(cè)量裝置內(nèi)部的工作氣體成分為100%的氬氣。

本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型提供一種超低本底α放射性測(cè)量裝置，在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)之上，設(shè)置了用于接收測(cè)量裝置的外殼側(cè)壁和測(cè)量裝置的外殼上蓋發(fā)射的α粒子的屏蔽絲，對(duì)測(cè)量裝置本身的放射性干擾起到了很好的屏蔽作用；甚至在優(yōu)選設(shè)置后，可以完全屏蔽掉室內(nèi)各個(gè)方向的放射性干擾，只探測(cè)樣品的放射性。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型其中一個(gè)方向剖面示意圖；

圖3為本實(shí)用新型另外一個(gè)方向剖面示意圖；

圖4為本實(shí)施例的Garfield模擬的電子漂移路徑圖；

圖中，1-外殼，2-樣品，3-探測(cè)絲，4-屏蔽絲，5-氣嘴，6-絲支撐，7-絕緣子，8-側(cè)壁，9-上蓋。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本實(shí)用新型的技術(shù)方案，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于以下所述。

如圖2和圖3所示，一種超低本底α放射性測(cè)量裝置，包括外殼1、探測(cè)絲3、絲支撐6、氣嘴5和絕緣子7；所述的外殼1底部設(shè)置有放置樣品2的安裝腔；所述的探測(cè)絲3的兩端均設(shè)置有絲支撐6，探測(cè)絲3兩端的絲支撐6分別通過(guò)各自的絕緣子7與外殼1的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁8固定連接；所述的氣嘴5有兩個(gè)，分別設(shè)置于外殼1的另外兩個(gè)側(cè)壁8上；所述的裝置還包括屏蔽絲4，所述的屏蔽絲4的兩端均設(shè)置有絲支撐6，屏蔽絲4兩端的絲支撐6也分別通過(guò)各自的絕緣子7與外殼1的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁8固定連接，屏蔽絲4固定的側(cè)壁8與探測(cè)絲3固定的側(cè)壁8相同；所述的探測(cè)絲3接收樣品2發(fā)射的α粒子，所述的屏蔽絲4接收外殼1側(cè)壁8和外殼1上蓋9發(fā)射的α粒子。

更優(yōu)地，在本實(shí)施例中，所述的探測(cè)絲3和屏蔽絲4均與側(cè)壁8平行設(shè)置。

更優(yōu)地，在本實(shí)施例中，所述的探測(cè)絲3和屏蔽絲4均為鍍金鎢絲。

更優(yōu)地，在本實(shí)施例中，通過(guò)所述的氣嘴5進(jìn)入測(cè)量裝置內(nèi)部的工作氣體成分為100%的氬氣。