[實用新型]一種IBC電池的電極結構有效
| 申請號: | 201721448104.4 | 申請日: | 2017-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN207572374U | 公開(公告)日: | 2018-07-03 |
| 發明(設計)人: | 張婷;郭永剛;屈小勇;任軍剛;馬繼奎;陳璐;王舉亮;倪玉鳳;吳翔 | 申請(專利權)人: | 國家電投集團西安太陽能電力有限公司;國家電投集團西安太陽能電力有限公司西寧分公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/04 |
| 代理公司: | 上海碩力知識產權代理事務所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
| 地址: | 710100 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 正極 負極 主柵 細柵線 制備 垂直電性連接 電極結構 電池 本實用新型 電池制備 電鍍電極 電池片 絕緣膠 銀漿 絕緣 背面 應用 | ||
本實用新型公開了一種IBC電池的電極結構,其中IBC電池的背面制備有P區及N區,所述P區上制備有正極細柵線以及正極主柵段,所述N區上制備有負極細柵線以及負極主柵段;所述正極細柵線、正極主柵段、負極細柵線以及負極主柵段均為電鍍電極;所述正極主柵段與所述負極主柵段均位于IBC電池片的內部,且所述正極主柵段僅與所述正極細柵線相互垂直電性連接,所述負極主柵段僅與所述負極細柵線相互垂直電性連接。由于正極主柵段與負極細柵線之間以及負極主柵段與正極細柵線之間自然絕緣,故取消了絕緣膠和銀漿的應用,降低了電池制備成本。
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池工藝技術領域,尤其涉及一種IBC電池的電極結構。
背景技術
目前P型晶體硅電池仍占據行業主要市場,但根據技術的更新P型晶體硅高效電池技術看似走向了盡頭,而行業對于N型晶體硅電池高效技術的開發近年來呈增長趨勢。近來IBC(Interdigitated back contact)替指交錯背接觸太陽能電池就是高效光伏電池的一種,其通過設置正負極在電池片的背面,將接觸發射區的電極與接觸基區的電極交錯分布,使電池片正面無任何遮擋,從而使電池正面能夠更有效的收集光生載流子,提升電池轉換效率。國內天合自主研發的大面積6英寸全背電極太陽電池(IBC)效率超過24%,達到24.13%,開路電壓超過700mV。且國際上IBC太陽能電池片已實現產業化最高為24.2%的轉換效率,相對簡單的制備工藝使其在高效率電池生產上量產的可能性增大。
IBC太陽能電池的正負極細柵線柵線呈指替狀排列在電池背面,目前基本為100根左右,主柵線垂直于細柵線4-8根。現有的IBC太陽能電池背電極的結構如圖1所示,其中,1代表正極主柵段,2代表負極主柵段,3代表正極細柵線,4代表負極細柵線,5代表絕緣膠,這種IBC太陽能電池電極的實現方法為:主柵線與副細柵線垂直印刷,正極主柵段與負極細柵線連接處通過印刷絕緣膠實現隔離,負極主柵段與正極細柵線連接處通過印刷絕緣膠實現隔離。該做法的缺陷是:
(1)對于副柵線、絕緣膠、主柵線需要多次印刷,制程復雜。
(2)這種電池結構需要印刷絕緣膠進行隔絕,該物質對環境不利且增加電池成本。
(3)這種結構需要印刷漿料進行電流收集和焊接,導致電池成本較高。
因此,需要對IBC太陽能電池電極結構進行改進。
實用新型內容
本實用新型提出了一種IBC電池的電極結構,以解決現有技術中的上述問題。
為了解決上述問題,本實用新型提供如下技術方案:
一種IBC電池的電極結構,IBC電池的背面制備有P區及N區,所述P區上制備有正極細柵線以及正極主柵段,所述N區上制備有負極細柵線以及負極主柵段;所述正極細柵線、正極主柵段、負極細柵線以及負極主柵段均為電鍍電極;所述正極主柵段與所述負極主柵段均位于IBC電池片的內部,且所述正極主柵段僅與所述正極細柵線相互垂直電性連接,所述負極主柵段僅與所述負極細柵線相互垂直電性連接。
在本實用新型的一個實施例中,所述正極細柵線的線寬為10-15μm。
在本實用新型的一個實施例中,所述負極細柵線的線寬為10-15μm。
在本實用新型的一個實施例中,所述正極主柵段的線寬為500-600μm,其高度小于P區間距。
在本實用新型的一個實施例中,所述P區間距為800-850μm。
在本實用新型的一個實施例中,所述負極主柵段的線寬為400-450μm,其高度小于N區間距。
在本實用新型的一個實施例中,所述N區間距為800-850μm。
在本實用新型的一個實施例中,所述電鍍電極以Ni為種子層、Cu為電流導通層、Ag為焊接層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





