[實用新型]具有孔洞圖形的半導體結構

有效

• 申請號: 201721447387.0
• 申請日: 2017-11-02
• 公開（公告）號: CN207352356U
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 佟婷婷

1.一種具有孔洞圖形的半導體結構，其特征在于，包括：

半導體基底；

正性光刻膠層，形成于所述半導體基底上，所述光刻膠層具有第一曝光區，且所述第一曝光區包括間隔排布的第一曝光單元以及位于相鄰所述第一曝光單元之間且順著第一方向延伸的第一非曝光單元，所述光刻膠層還具有第二曝光區，重迭于所述第一曝光區，所述第二曝光區包括間隔排布的第二曝光單元以及位于相鄰所述第二曝光單元之間且順著第二方向延伸的第二非曝光單元；以及

其中，所述第二非曝光單元與所述第一非曝光單元形成有至少一個非曝光相交叉區域，且所述相交叉區域對應的光刻膠層用于以負性顯影方式被去除以形成孔洞圖形。

2.根據權利要求1所述的具有孔洞圖形的半導體結構，其特征在于，所述第一非曝光單元的延伸方向與一X軸設定方向之間具有第一傾角，所述第二非曝光單元的延伸方向與所述設定方向具有第二傾角，所述第一傾角與所述第二傾角相對于所述設定方向分別形成有逆順時鐘不同方向的銳角旋轉角度。

3.根據權利要求1所述的具有孔洞圖形的半導體結構，其特征在于，所述第一非曝光單元相互平行且等間距排布，所述第二非曝光單元相互平行且等間距排布。

4.根據權利要求3所述的具有孔洞圖形的半導體結構，其特征在于，所述第一方向為Y軸直列方向，所述第二方向為X軸橫行方向，使所述第一非曝光單元與所述第二非曝光單元相垂直。

5.根據權利要求1所述的具有孔洞圖形的半導體結構，其特征在于，相交叉的所述第一非曝光單元與所述第二非曝光單元之間的夾角介于15°～90°之間。

6.根據權利要求1所述的具有孔洞圖形的半導體結構，其特征在于，所述第一非曝光單元的寬度為38～60nm，所述第二非曝光單元的寬度為38～60nm。

7.根據權利要求1～6中任意一項所述的具有孔洞圖形的半導體結構，其特征在于，所述半導體基底包括器件結構層以及形成于所述器件結構層表面的介質層，所述光刻膠層用于作為掩膜對所述介質層進行刻蝕，以于所述介質層內形成與所述孔洞圖形對應的通孔。

8.根據權利要求7所述的具有孔洞圖形的半導體結構，其特征在于，所述器件結構層內設置有晶體管，所述晶體管具有源極，所述通孔內填充有導電層，所述導電層與所述晶體管的源極電連接以將所述源極引出。