[實用新型]一種提升質(zhì)量的碳化硅單晶生長裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721446479.7 | 申請日： | 2017-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN207498521U | 公開（公告）日： | 2018-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 廖弘基 | 申請（專利權(quán)）人： | 福建北電新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 362211 福建省泉州*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 石墨坩堝 石墨 金屬過濾片 碳化硅單晶 導流筒 石墨蓋 本實用新型 碳化硅粉末 生長裝置 保溫層 支撐環(huán) 籽晶片 軟氈 晶體生長過程 頂部封閉 突出區(qū)域 耐高溫 內(nèi)固定 碳包裹 碳雜質(zhì) 粘合 包覆 多層 通孔 微管 位錯 裝設(shè) 籽晶 坩堝 過濾 架設(shè) | ||
1.一種提升質(zhì)量的碳化硅單晶生長裝置，包括石墨坩堝(1)、石墨蓋(2)和石墨軟氈保溫層(3)，所述石墨蓋(2)位于石墨坩堝(1)頂部封閉所述石墨坩堝(1)，所述石墨蓋(2)內(nèi)側(cè)中心突出區(qū)域粘合有籽晶片(4)，所述石墨軟氈保溫層(3)包覆所述石墨坩堝(1)的周圍、頂部、底部，所述石墨坩堝(1)內(nèi)放置有碳化硅粉末(5)，其特征在于：所述石墨坩堝(1)內(nèi)碳化硅粉末(5)與籽晶片(4)之間的區(qū)域架設(shè)石墨支撐環(huán)(6)，所述石墨支撐環(huán)(6)上安裝有導流筒(7)，所述導流筒(7)內(nèi)固定一層或多層的金屬過濾片(8)，所述金屬過濾片(8)內(nèi)均勻分布有通孔(9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升質(zhì)量的碳化硅單晶生長裝置，其特征在于：所述石墨軟氈保溫層(3)設(shè)有1-4層，每層厚度為5-10mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升質(zhì)量的碳化硅單晶生長裝置，其特征在于：所述石墨支撐環(huán)(6)架設(shè)在離石墨坩堝(1)頂部1/2-1/3石墨坩堝高度的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升質(zhì)量的碳化硅單晶生長裝置，其特征在于：所述導流筒(7)為圓柱體，導流筒(7)與石墨支撐環(huán)(6)垂直或以1-5度角度朝下方擴大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升質(zhì)量的碳化硅單晶生長裝置，其特征在于：所述導流筒(7)與金屬過濾片(8)厚度為0.1-0.5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升質(zhì)量的碳化硅單晶生長裝置，其特征在于：所述金屬過濾片(8)設(shè)有1-5層，層與層的間隙為10-20mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升質(zhì)量的碳化硅單晶生長裝置，其特征在于：所述通孔(9)的直徑、長、寬尺寸為0.1-1mm。
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