[實用新型]一種基于低功耗相位控制的LED亮度調節電路

有效

• 申請號: 201721443942.2
• 申請日: 2017-11-02
• 公開（公告）號: CN207475927U
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 羅來祥;吳桂增;徐小康
• 申請（專利權）人: 上海柘陽實業有限公司
• 主分類號: H05B33/08
• 分類號: H05B33/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于低功耗相位控制的LED亮度調節電路，其特征在于：包括低功耗可控硅維持電流電路(1)、隔離式相位檢測傳輸電路(2)和單片機相位采樣及PWM驅動電路(3)；

所述低功耗可控硅維持電流電路(1)包括整流橋U5、絕緣柵型晶體管Q8、NPN型三極管Q9和二極管D11，所述整流橋U5的引腳1連接交流電源AC1，整流橋U5的引腳2連接串聯電阻R52接到交流電源AC2上；整流橋U5的引腳3連接于高壓電HV，整流橋U5的引腳4連接于分壓電阻R40的一端、NPN型三極管Q9的發射極以及串聯采樣電阻R36接到絕緣柵型晶體管Q8的源極，并接地；分壓電阻R40的另一端串聯分壓電阻R41接到高壓電HV，NPN型三極管Q9的基級連接于分壓電阻R40和分壓電阻R41的串聯接口以及NPN型三極管Q9的基級串聯濾波電容C34接到絕緣柵型晶體管Q8的源極，濾波電容C34的兩端并聯二極管D11；NPN型三極管Q9的集電極連接于驅動電阻R39的一端及絕緣柵型晶體管Q8的柵極，絕緣柵型晶體管Q8的漏極和驅動電阻R39的另一端均接到高壓電HV上;

所述隔離式相位檢測傳輸電路(2)包括絕緣柵型晶體管Q7、穩壓二極管ZD3和光電耦合器U6；所述絕緣柵型晶體管Q7的集電極連接于高壓電HV，絕緣柵型晶體管Q7的源極串聯驅動電阻R7連接于光電耦合器U6的正極輸入端，絕緣柵型晶體管Q7的柵極連接驅動電阻R38的一端以及穩壓二極管ZD3的陰極；驅動電阻R38的另一端接到高壓電HV上，穩壓二極管ZD3的陽極串聯旁路電阻R9接到絕緣柵型晶體管Q7的源極以及光電耦合器U6的負極輸入端，并接地；所述光電耦合器U6的集電極連接于分壓電阻R43的一端以及輸出脈沖寬度調制信號PWM，分壓電阻R43的另一端輸出正5V電壓以及串聯耦合電容C33接地；光電耦合器U6的集電極和發射極之間還并聯分壓電阻R42并接地；

所述單片機相位采樣及PWM驅動電路(3)包括單片機U7、三極管Q6、三極管Q10、三極管Q11、絕緣柵型晶體管Q12和絕緣柵型晶體管Q15，所述單片機U7通過脈沖寬度調制輸出電路PWM OUT與LED燈電連接，所述三極管Q6、三極管Q10、三極管Q11、絕緣柵型晶體管Q12和絕緣柵型晶體管Q15通過電路相連，構成PWM驅動電路。

2.根據權利要求1所述的一種基于低功耗相位控制的LED亮度調節電路，其特征在于：所述分壓電阻R40的一側還并聯有延時電容C45。

3.根據權利要求1所述的一種基于低功耗相位控制的LED亮度調節電路，其特征在于：所述整流橋U5的型號為MB6S。

4.根據權利要求1所述的一種基于低功耗相位控制的LED亮度調節電路，其特征在于：所述光電耦合器U6的型號為EL817。

5.根據權利要求1所述的一種基于低功耗相位控制的LED亮度調節電路，其特征在于：所述單片機U7的型號為STC15W4008AS。