[實用新型]一種3D動態(tài)隨機存取存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721440400.X
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN207302640U
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈建宏
• 申請（專利權(quán)）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: G11C11/4074
• 分類號: G11C11/4074;G11C5/02;G06F3/06
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所11313
• 代理人: 張臻賢,武晨燕

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導(dǎo)體存儲器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種3D動態(tài)隨機存取存儲器。

背景技術(shù)

目前，DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態(tài)隨機存取存儲器，是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，DRAM的讀寫速度遠快于固態(tài)硬盤。然而，DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間，為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲的方式進行存儲數(shù)據(jù)，這種方式必須隔一段時間刷新(refresh)一次，每刷新一次就保存一次數(shù)據(jù)，如果DRAM沒有被刷新，存儲的信息就會丟失，當DRAM斷電時，DRAM無法進行刷新，將會導(dǎo)致DRAM中的數(shù)據(jù)丟失。導(dǎo)致數(shù)據(jù)容易丟失的另一個原因是，目前的DRAM的容量較小，導(dǎo)致數(shù)據(jù)容易丟失。

因此，如何在斷電時保存DRAM中的數(shù)據(jù)是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需要解決的技術(shù)問題。

在背景技術(shù)中公開的上述信息僅用于加強對本實用新型的背景的理解，因此其可能包含沒有形成為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

實用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實用新型實施例希望提供一種3D動態(tài)隨機存取存儲器，以克服或緩解背景技術(shù)中存在的一個或者更多個問題，至少提供一種有益的選擇。

本實用新型實施例的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的，根據(jù)本實用新型的一個實施例，提供一種3D動態(tài)隨機存取存儲器，包括多個易失性數(shù)據(jù)存儲裝置、主控邏輯芯片及電力存儲裝置，所述主控邏輯芯片的輸入端與所述易失性數(shù)據(jù)存儲裝置電連接在一立體堆棧體中，所述主控邏輯芯片的輸出端用于與非易失性存儲器電連接，在所述電力存儲裝置的電供應(yīng)下，所述主控邏輯芯片用于驅(qū)動將從所述易失性數(shù)據(jù)存儲裝置下載的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)復(fù)制至所述非易失性存儲器。

優(yōu)選的，在上述3D動態(tài)隨機存取存儲器中，所述主控邏輯芯片包括：

數(shù)據(jù)下載單元，與所述易失性數(shù)據(jù)存儲裝置電連接，用于從所述易失性數(shù)據(jù)存儲裝置中下載數(shù)據(jù)；及

數(shù)據(jù)傳輸單元，與所述數(shù)據(jù)下載單元以及所述非易失性存儲器連接，用于將下載的所述數(shù)據(jù)發(fā)送至所述非易失性存儲器。

優(yōu)選的，在上述3D動態(tài)隨機存取存儲器中，所述電力存儲裝置至少與所述主控邏輯芯片連接，所述電力存儲裝置包括電容式供電電源或充電電池。

優(yōu)選的，在上述3D動態(tài)隨機存取存儲器中，還包括一內(nèi)存模塊板，所述立體堆棧體設(shè)置于所述內(nèi)存模塊板上。

優(yōu)選的，在上述3D動態(tài)隨機存取存儲器中，所述內(nèi)存模塊板設(shè)置有卡槽，用以接合所述非易失性存儲器，所述非易失性存儲器包括記憶卡存儲器(SD card)或閃存存儲器(FLASH memory device)。

優(yōu)選的，在上述3D動態(tài)隨機存取存儲器中，所述非易失性存儲器設(shè)置于所述內(nèi)存模塊板上。

優(yōu)選的，在上述3D動態(tài)隨機存取存儲器中，所述主控邏輯芯片包括片上系統(tǒng)專用集成電路(SOC ASIC)。

優(yōu)選的，在上述3D動態(tài)隨機存取存儲器中，所述易失性數(shù)據(jù)存儲裝置包括多個層疊堆棧的DRAM內(nèi)存芯片，所述DRAM內(nèi)存芯片的數(shù)量范圍為2至16個。

優(yōu)選的，在上述3D動態(tài)隨機存取存儲器中，所述內(nèi)存芯片之間通過硅穿孔相互連接。

本實用新型由于采用以上技術(shù)方案，其具有以下優(yōu)點：為了解決現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)據(jù)存儲裝置在斷電時導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失的技術(shù)問題，本方案在連接有易失性數(shù)據(jù)存儲裝置的立體堆棧體的基礎(chǔ)上增加了主控邏輯芯片，主控邏輯芯片的輸出端用于與非易失性存儲器電連接，在電力存儲裝置的電供應(yīng)下，主控邏輯芯片用于驅(qū)動將從易失性數(shù)據(jù)存儲裝置下載的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)復(fù)制至非易失性存儲器。當易失性數(shù)據(jù)存儲裝置斷電時，主控邏輯芯片已經(jīng)將提前下載到的數(shù)據(jù)非易失性存儲器進行存儲，實現(xiàn)數(shù)據(jù)保存的目的。

上述概述僅僅是為了說明書的目的，并不意圖以任何方式進行限制。除上述描述的示意性的方面、實施方式和特征之外，通過參考附圖和以下的詳細描述，本實用新型進一步的方面、實施方式和特征將會是容易明白的。

附圖說明

在附圖中，除非另外規(guī)定，否則貫穿多個附圖相同的附圖標記表示相同或相似的部件或元素。這些附圖不一定是按照比例繪制的。應(yīng)該理解，這些附圖僅描繪了根據(jù)本實用新型公開的一些實施方式，而不應(yīng)將其視為是對本實用新型范圍的限制。

圖1為本實用新型實施例提供的一種3D動態(tài)隨機存取存儲器內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實用新型實施例提供的一種3D動態(tài)隨機存取存儲器內(nèi)部俯視圖。

圖3為本實用新型實施例提供的一種3D動態(tài)隨機存取存儲器的數(shù)據(jù)保存方法流程示意圖。

附圖標號：