[實(shí)用新型]一種具有漸變氧化層的屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721437323.2
• 申請日: 2017-11-01
• 公開（公告）號: CN207474468U
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢振華;吳宗憲;王宇澄
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州鳳凰芯電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種具有漸變氧化層的屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)，包括元胞區(qū)和終端保護(hù)區(qū)，所述元胞區(qū)位于器件的中心區(qū)，所述終端保護(hù)區(qū)環(huán)繞在所述元胞區(qū)的周圍，所述元胞區(qū)由若干個(gè)MOSFET器件單元體并聯(lián)而成，所述MOSFET器件單元體包括半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板包括第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s襯底（1）及位于第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s襯底（1）上的第一導(dǎo)電類型外延層（2），所述第一導(dǎo)電類型外延層（2）的上表面為半導(dǎo)體基板的第一主面（001），第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s襯底（1）的下表面為半導(dǎo)體基板的第二主面（002），在第一導(dǎo)電類型外延層（2）內(nèi)沿著第一主面（001）指向第二主面（002）的方向設(shè)有溝槽（4），所述溝槽（4）兩側(cè)均設(shè)有第二導(dǎo)電類型體區(qū)（9），所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)（9）設(shè)于第一導(dǎo)電類型外延層（2）內(nèi)，且內(nèi)部設(shè)有第一導(dǎo)電類型源極區(qū)（10），所述第一導(dǎo)電類型源極區(qū)（10）位于溝槽（4）左右兩側(cè)且鄰接，在所述溝槽（4）和第一導(dǎo)電類型源極區(qū)（10）上方設(shè)有絕緣介質(zhì)層（11），所述絕緣介質(zhì)層（11）兩側(cè)設(shè)有源極接觸孔（6），所述源極接觸孔（6）內(nèi)填充有金屬，形成源極金屬（12），所述源極金屬（12）穿過源極接觸孔（6）與第二導(dǎo)電類型體區(qū)（9）接觸，且與第一導(dǎo)電類型源極區(qū)（10）歐姆接觸，其特征在于，所述溝槽（4）分為上下兩部分，上部分包括柵極導(dǎo)電多晶硅（7）和位于柵極導(dǎo)電多晶硅（7）兩側(cè)的柵氧化層（8），下部分包括漸變氧化層（3）及漸變氧化層（3）包裹的屏蔽柵（5）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有漸變氧化層的屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述屏蔽柵（5）的形狀為倒梯形，所述倒梯形的側(cè)壁與底部的夾角為80°~90°，所述屏蔽柵（5）的深度為3~7um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有漸變氧化層的屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：漸變氧化層（3）中的氧化層最薄處為1000A~5000A，最厚處為6000A~10000A。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有漸變氧化層的屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述柵極導(dǎo)電多晶硅（7）和屏蔽柵（5）間氧化層的厚度為2000A~4000A。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有漸變氧化層的屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述源極金屬（12）和柵極導(dǎo)電多晶硅（7）之間通過絕緣介質(zhì)層（11）隔開。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有漸變氧化層的屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述溝槽（4）的深度為4~ 8um。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有漸變氧化層的屏蔽柵MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：對于N型MOS器件，所述第一導(dǎo)電類型為N型導(dǎo)電，所述第二導(dǎo)電類型為P型導(dǎo)電；對于P型MOS器件，所述第一導(dǎo)電類型為P型導(dǎo)電，所述第二導(dǎo)電類型為N型導(dǎo)電。