[實用新型]一種顯示面板及裝置

有效

• 申請號: 201721426912.0
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN207409490U
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 胡江平;黃秀頎;崔永鑫
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示面板及裝置，所述顯示面板包括：呈矩陣式排布的多個像素結構；其中，每個像素結構中包含第一薄膜晶體管；所述第一薄膜晶體管的端電極分別連接有不同的金屬線，至少一個端電極與相應金屬線的連接接觸面積大于接觸面在面板上的正投影的面積。本方案用以降低像素驅動電路中薄膜晶體管與金屬線之間的接觸電阻，從而減小薄膜晶體管對電流的阻礙作用，緩解金屬線上的壓降現象，提高有效功率，改善顯示面板整體亮度不均的問題。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示面板及裝置。

背景技術

在顯示技術領域，對于尺寸較大的有機發光二極管(Organic Light-EmittingDiode,OLED)顯示屏，通電時金屬線上存在壓降現象，即靠近IC處金屬線電壓較高，遠離IC處金屬線電壓較低，金屬線可以包括：數據線、電源線、掃描線等。該壓降現象使得靠近IC處的像素點較亮，遠離IC處的像素點較暗。

具體的，現有技術中TFT(Thin Film Transistor)電路如圖1所示，Dm數據線和VDD電源線上連接有多個TFT電路，由于金屬線較長較細，導致數據線上的壓降現象較為明顯，由此遠離IC的TFT電路與Dm連接點的電壓小于靠近IC的TFT電路與Dm連接點的電壓，遠離IC的TFT電路與VDD連接點的電壓小于靠近IC的TFT電路與VDD連接點的電壓。圖1中M1和M2為金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)，MOSFET中包括源極、漏極和柵極，以NMOS管為例，當柵極與源極的電壓差大于閾值電壓時，源極與漏極導通，通常情況下，柵極與源極的電壓差越大，源極與漏極之間的電阻越小。

具體地，當Sn存在電壓使M2開啟時，M2中源極與漏極導通，使A點存在電壓，從而開啟M1。由于壓降現象的存在，遠離IC的TFT電路中的A點電壓小于靠近IC的TFT電路中的A點電壓，由此導致遠離IC的TFT電路中的M1電阻大于靠近IC的TFT電路中的M1電阻。另外，在OLED顯示屏上，多個TFT電路并聯于VDD干路，由于靠近IC的TFT支路分流干路電流，使遠離IC的TFT電路中電流小于靠近IC的TFT電路中電流。

由于遠離IC的TFT電路中的M1電阻大于靠近IC的TFT電路中的M1電阻，且遠離IC的TFT電路中電流小于靠近IC的TFT電路中電流，因此，通電時，遠離IC的像素點比靠近IC的像素點暗。

實用新型內容

本申請實施例提供一種顯示面板及裝置，用以降低TFT電路中的電阻，緩解金屬線上的壓降現象，從而緩解顯示面板整體亮度不均的問題。

本申請實施例采用下述技術方案：

一種顯示面板，包括：呈矩陣式排布的多個像素結構；其中，每個像素結構中包含第一薄膜晶體管；

所述第一薄膜晶體管的端電極分別連接有不同的金屬線，至少一個端電極與相應金屬線的連接接觸面積大于接觸面在面板上的正投影的面積。

優選的，所述至少一個端電極中包括：輸入端電極和輸出端電極；

連接所述輸入端電極的金屬線為電源線；連接所述輸出端的金屬線與像素結構的陽極相連。

優選的，上述顯示面板還包括：至少一個第二薄膜晶體管；

所述第二薄膜晶體管的端電極分別連接有不同的金屬線，至少一個端電極與相應金屬線的連接接觸面積大于接觸面在面板上的正投影的面積。

優選的，所述第二薄膜晶體管中的至少一個端電極中包括：輸入端電極和輸出端電極；

連接所述輸入端電極的金屬線為數據線；所述輸出端電極通過金屬線與第一薄膜晶體管的控制端相連。

優選的，所述至少一個端電極中還包括：控制端電極；