[實用新型]一種雙面P型PERC太陽能電池有效
| 申請號: | 201721419342.2 | 申請日: | 2017-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN207909892U | 公開(公告)日: | 2018-09-25 |
| 發明(設計)人: | 何達能;方結彬;秦崇德;陳剛 | 申請(專利權)人: | 浙江愛旭太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/048 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡楓 |
| 地址: | 322009 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 銀料 氮化硅膜 鍍銅層 背面 本實用新型 太陽能電池 正銀電極 包覆 絲網印刷 氧化鋁膜 依次層疊 主柵 改進 | ||
本實用新型公開了一種雙面P型PERC太陽能電池,背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜、P型硅、N型發射極、正面氮化硅膜和正銀電極從下至上依次層疊連接;所述背銀主柵包括第一銀料層和第一鍍銅層,第一銀料層與背面氮化硅膜連接,第一鍍銅層包覆在第一銀料層上;所述正銀電極包括第二銀料層和第二鍍銅層,第二銀料層與正面氮化硅膜連接,第二鍍銅層包覆在第二銀料層上。采用本實用新型,可降低銀的耗量,解決絲網印刷的虛印問題,改進工藝簡單易行,降低生產成本。
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池領域,尤其涉及一種雙面P型PERC太陽能電池。
背景技術
晶硅太陽能電池是一種有效吸收太陽輻射能,利用光生伏打效應把光能轉換成電能的器件,當太陽光照在半導體P-N結上,形成新的空穴-電子對,在P-N 結電場的作用下,空穴由N區流向P區,電子由P區流向N區,接通電路后就形成電流。
傳統晶硅太陽能電池基本上只采用正面鈍化技術,在硅片正面用PECVD的方式沉積一層氮化硅,降低少子在前表面的復合速率,可以大幅度提升晶硅電池的開路電壓和短路電流,從而提升晶硅太陽電池的光電轉換效率。
隨著對晶硅電池的光電轉換效率的要求越來越高,人們開始研究PERC背鈍化太陽電池技術。目前業界主流廠家的焦點集中在單面PERC太陽能電池的量產,而對于雙面PERC太陽能電池也僅僅是一些研究機構在實驗室做的研究。
對于雙面PERC太陽能電池,由于光電轉換效率高,同時雙面吸收太陽光,發電量更高,在實際應用中具有更大的使用價值。
現有的雙面PERC太陽能電池一般采用絲網印刷的方式來印刷銀漿或鋁漿,雖然絲網印刷工藝已非常成熟,但是總是難以避免會出現虛印、漏印的情況發生,降低電池的光電轉換效率,對產品合格率形成不良影響。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題在于,提供一種雙面P型PERC太陽能電池,可降低銀的耗量,解決絲網印刷的虛印問題,改進工藝簡單易行,降低生產成本。
為了解決上述技術問題,本實用新型提供了一種雙面P型PERC太陽能電池,包括背銀主柵、鋁柵線、背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜、P型硅、N型發射極、正面氮化硅膜和正銀電極;所述背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜、P型硅、N 型發射極、正面氮化硅膜和正銀電極從下至上依次層疊連接;
所述背面氮化硅膜和背面氧化鋁膜經過激光開槽后形成30-500個平行設置的激光開槽區,每個激光開槽區內設置至少1組激光開槽單元,所述鋁柵線通過激光開槽區與P型硅相連;所述鋁柵線與背銀主柵垂直連接;
所述背銀主柵包括第一銀料層和第一鍍銅層,第一銀料層與背面氮化硅膜連接,第一鍍銅層包覆在第一銀料層上;
所述正銀電極包括第二銀料層和第二鍍銅層,第二銀料層與正面氮化硅膜連接,第二鍍銅層包覆在第二銀料層上。
作為所述雙面P型PERC太陽能電池的優選技術方案,所述第一銀料層的寬度為0.2-5.0mm,所述第一鍍銅層的厚度為1-20μm。
作為所述雙面P型PERC太陽能電池的優選技術方案,所述第二銀料層的寬度為0.2-1.5mm,所述第二鍍銅層的厚度為1-20μm。
作為所述雙面P型PERC太陽能電池的優選技術方案,鋁柵線的寬度為 30-550μm;所述鋁柵線的根數為30-500條;所述背銀主柵的根數為2-8條。
作為所述雙面P型PERC太陽能電池的優選技術方案,所述背銀主柵為連續直柵;或所述背銀主柵呈間隔分段設置;或所述背銀主柵呈間隔分段設置,各相鄰分段間通過連通區域連接。
作為所述雙面P型PERC太陽能電池的優選技術方案,所述背面氮化硅膜的厚度為20-200nm;所述背面氧化鋁層的厚度為2-30nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





