[實用新型]自動化硅片頂出承載機構有效
| 申請號： | 201721400957.0 | 申請日： | 2017-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN207303059U | 公開（公告）日： | 2018-05-01 |
| 發明（設計）人： | 任景洲 | 申請（專利權）人： | 徐州鑫宇光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673;H01L21/68;H01L21/677 |
| 代理公司： | 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙)32251 | 代理人： | 陸金星 |
| 地址： | 221000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 自動化 硅片 承載 機構 | ||
【權利要求書】：
1.一種自動化硅片頂出承載機構，其包括用于放置硅片的花籃以及設于花籃底部的硅片頂升機構，其特征在于：所述花籃的一側邊緣設有硅片頂升導向部，所述硅片頂升導向部包括復數個沿豎直方向平行等間隔分布的第一隔片，相鄰兩個所述第一隔片之間構成硅片導向槽。
2.根據權利要求1所述的自動化硅片頂出承載機構，其特征在于：所述花籃包括前端板、后端板和花籃側板，所述花籃側板上平行等間隔分布有復數個第二隔片，相鄰兩個所述第二隔片之間構成硅片卡槽。
3.根據權利要求2所述的自動化硅片頂出承載機構，其特征在于：相鄰兩個所述第二隔片之間的間距大于4.5mm。
4.根據權利要求2所述的自動化硅片頂出承載機構，其特征在于：相鄰兩個所述第二隔片之間的間距為4.76mm。
5.根據權利要求1所述的自動化硅片頂出承載機構，其特征在于：所述硅片頂升導向部與花籃的一側邊緣轉動連接。
6.根據權利要求1所述的自動化硅片頂出承載機構，其特征在于：相鄰兩個所述第一隔片之間的間距大于4.5mm。
7.根據權利要求6所述的自動化硅片頂出承載機構，其特征在于：相鄰兩個所述第一隔片之間的間距為4.76mm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
