[實(shí)用新型]一種免吸收電容的靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721397661.8
• 申請(qǐng)日: 2017-10-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207381977U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王潞鋼;何超;姜濤;陳果;王海洋;劉帥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京精密機(jī)電控制設(shè)備研究所
• 主分類號(hào): H02J3/18
• 分類號(hào): H02J3/18
• 代理公司: 核工業(yè)專利中心 11007
• 代理人: 閆兆梅

本實(shí)用新型屬于新型電力電子裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種免吸收電容的靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器。本實(shí)用新型具體包括：六個(gè)絕緣柵雙極型晶體管IGBT、一個(gè)薄膜電容、一組正母線及一組負(fù)母線；其中六個(gè)絕緣柵雙極型晶體管IGBT與正母線和負(fù)母線排列成三相全橋形式，一個(gè)薄膜電容器并入正母線和負(fù)母線之間。本實(shí)用新型有利于無(wú)功補(bǔ)償器的體積縮小，性能提高，有利于靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器的產(chǎn)業(yè)化。本實(shí)用新型采用聚乙烯薄膜電容取代電解電容，來(lái)穩(wěn)定電壓波動(dòng)，免去吸收電容，從而減小了無(wú)功補(bǔ)償器體積尺寸；且薄膜電容的替換不限各種靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于新型電力電子裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種免吸收電容的靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器。

背景技術(shù)

目前，市場(chǎng)上的靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器內(nèi)部，采用電解電容來(lái)穩(wěn)定直流電壓，采用專用吸收電容來(lái)吸收絕緣柵雙極型晶體管IGBT的脈沖尖峰如圖1所示。

該現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題和缺陷

電解電容，用來(lái)穩(wěn)定直流電壓波動(dòng)，吞吐諧波和自身?yè)p耗能量。缺點(diǎn)是：耐壓值不高需要串聯(lián)分壓才能工作、內(nèi)感大從而增加了直流母線的雜散電感，增加了絕緣柵雙極型晶體管IGBT關(guān)斷失效的幾率。

專用吸收電容，主要用來(lái)：吸收來(lái)自雜散電感的續(xù)流；吸收絕緣柵雙極型晶體管IGBT尖峰脈沖；因?yàn)樾枰咏^緣柵雙極型晶體管IGBT，所以經(jīng)常占用絕緣柵雙極型晶體管IGBT附近體積。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型目的在于提出了一種免吸收電容的靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器，解決了穩(wěn)定電壓波動(dòng)，免去吸收電容，減小了無(wú)功補(bǔ)償器體積尺寸的技術(shù)問(wèn)題。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：

一種免吸收電容的靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器，其特征在于：包括六個(gè)絕緣柵雙極型晶體管IGBT、一個(gè)薄膜電容、一組正母線及一組負(fù)母線；其中六個(gè)絕緣柵雙極型晶體管IGBT與正母線和負(fù)母線排列成三相全橋形式，一個(gè)薄膜電容器并入正母線和負(fù)母線之間。

如上所述薄膜電容器以金屬箔當(dāng)電極。

如上所述薄膜電容器由聚苯乙烯塑料薄膜兩端重疊后，卷繞成圓筒狀構(gòu)成。

如上所述的一種免吸收電容的靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器可以通過(guò)并聯(lián)多個(gè)薄膜電容器電容增加電容容量。

如上所述薄膜電容為直流薄膜電容。

本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型有利于無(wú)功補(bǔ)償器的體積縮小，性能提高，有利于靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器的產(chǎn)業(yè)化。本實(shí)用新型采用聚乙烯薄膜電容取代電解電容，來(lái)穩(wěn)定電壓波動(dòng)，免去吸收電容，從而減小了無(wú)功補(bǔ)償器體積尺寸；且薄膜電容的替換不限各種靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

薄膜電容還具有以下優(yōu)點(diǎn)：電容無(wú)液體，防爆且防止漏液；耐壓值高，最高可達(dá)上萬(wàn)伏特；有自愈性，小的擊穿可以自行恢復(fù)；壽命長(zhǎng)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)電解電容數(shù)倍。內(nèi)感極低，從而省略了吸收電容，因?yàn)闊o(wú)吸收電容，無(wú)內(nèi)感，單位電容值允許電流更大，所以可以選用更低的電容值。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明所述一種免吸收電容的靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器電路圖。

具體實(shí)施方式

下面對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)進(jìn)行進(jìn)一步描述：

如圖1所述，一種免吸收電容的靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器，包括：包括六個(gè)絕緣柵雙極型晶體管IGBT、一個(gè)薄膜電容、一組正母線及一組負(fù)母線；其中六個(gè)絕緣柵雙極型晶體管IGBT與正母線和負(fù)母線排列成三相全橋形式，一個(gè)薄膜電容器并入正母線和負(fù)母線之間。

本實(shí)用新型采用聚乙烯薄膜電容取代電解電容，來(lái)穩(wěn)定電壓波動(dòng)，免去吸收電容，從而減小了無(wú)功補(bǔ)償器體積尺寸。所述薄膜電容的替換不限于無(wú)功補(bǔ)償器的各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。