[實用新型]硅片表面清洗裝置有效
| 申請號: | 201721390652.6 | 申請日: | 2017-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN207250472U | 公開(公告)日: | 2018-04-17 |
| 發明(設計)人: | 黃于于 | 申請(專利權)人: | 清遠市德晟嘉恒能源環保工程有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司: | 重慶強大凱創專利代理事務所(普通合伙)50217 | 代理人: | 王典彪 |
| 地址: | 511500 廣東省清遠市高新技術*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 表面 清洗 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及對液體或被凈化物體進行附加處理的裝置領域,具體涉及一種硅片表面清洗裝置。
背景技術
硅片是太陽能電池片的載體,硅片質量的好壞直接決定了太陽能電池片轉換效率的高低。單晶硅絨面的制備是生產太陽能電池片的必要工序,利用硅的各向異性腐蝕,在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結構。由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,提高了電池的短路電流和轉換效率。在制備絨面前,硅片須先進行初步表面腐蝕,在腐蝕絨面后,進行一般的化學清洗。
現有的清洗裝置一般需要將硅片放入清洗框內,硅片與清洗框接觸的部位難以清洗干凈,使得洗完的硅片表面上留有污斑,造成硅片局部清洗不干凈的現象,從而影響硅片的質量。也有部分清洗裝置設置了多個尖端在支撐硅片,以減少與硅片的接觸面積,但是這就容易使得硅片表面被劃傷。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種硅片表面清洗裝置,該裝置在對硅片進行清洗時,可以減少硅片的劃傷而且清洗效果好。
為達到上述目的,本實用新型的基礎方案如下:硅片表面清洗裝置,包括盛有清洗液的清洗槽,還包括清洗框、連桿、第一傘齒輪、第二傘齒輪和曲軸,所述清洗框位于清洗槽內,所述清洗框由底網和四個隔網構成,所述底網的橫截面為正弦波形,所述清洗槽側部設有電機,所述電機的輸出軸與曲軸連接,所述曲軸的曲軸頸與連桿的一端轉動連接,連桿另一端與清洗框上部轉動連接,所述曲軸的連桿軸頸與第一傘齒輪固定連接,所述第一傘齒輪與第二傘齒輪嚙合,所述第二傘齒輪連接有攪拌軸,所述攪拌軸連接有攪拌葉片,所述攪拌葉片位于清洗液內。
采用本基礎方案時,將待清洗的硅片放置在清洗框內,并確保清洗框浸沒在清洗液內。底網的橫截面為正弦波線,則底網的與硅片的接觸面積變小,使得硅片與清洗液的接觸面積變大,而且底網的橫截面為正弦波形,則硅片與底網接觸時不會對硅片造成劃傷。啟動電機,電機驅動曲軸轉動。因為連桿一端與曲軸的曲軸頸轉動連接,連桿的另一端與清洗框連接。則在電機驅動曲軸轉動時,清洗框在曲軸和連桿的作用下會帶動硅片上下移動,與清洗槽內的清洗也產生相對運動,利于硅片的清洗。因為第一傘齒輪與第二傘齒輪嚙合,曲軸在轉動時,會通過第一傘齒輪與第二傘齒輪帶動攪拌軸轉動,攪拌軸轉動會帶動攪拌葉片轉動對清洗也進行攪拌,使清洗液轉動。清洗液的轉動配合硅片的上下移動,使清洗液對硅片有較強的沖擊,清洗效果更好。
優選方案一:作為基礎方案的優選方案,所述清洗槽內設有溫度傳感器,在對硅片進行清洗時,需要保證清洗液的溫度,而溫度傳感器方便對清洗液的溫度進行檢測。
優選方案二:作為優選方案一的優選方案,所述清洗槽底部設有加熱結構,方便對清洗液進行加熱。
優選方案三:作為基礎方案的優選方案,所述清洗槽內設有Ph檢測器,清洗槽內應是堿性環境,需要控制清洗槽內的Ph值,而Ph檢測器可以實時檢測清洗槽內的Ph值。
優選方案四:作為基礎方案的優選方案,所述隔網的截面為正弦波形,避免隔網對硅片造成劃傷。
附圖說明
圖1是本實用新型硅片表面清洗裝置實施例的結構示意圖。
具體實施方式
下面通過具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明:
說明書附圖中的附圖標記包括:清洗槽1、清洗框2、底網3、隔網4、連桿5、曲軸頸6、連桿軸頸7、第一傘齒輪8、第二傘齒輪9、攪拌軸10、攪拌葉片11、電機12、溫度傳感器13。
實施例基本如附圖1所示:硅片表面清洗裝置,包括盛有清洗液的清洗槽1,還包括清洗框2、連桿5、第一傘齒輪8、第二傘齒輪9和曲軸,清洗框2位于清洗槽內,清洗框2由底網3和四個隔網4構成,底網3的橫截面為正弦波形,隔網4的截面為正弦波形。清洗槽側部設有電機12,電機12的輸出軸與曲軸連接,曲軸的曲軸頸6與連桿5的一端轉動連接,連桿5另一端與清洗框2上部轉動連接,曲軸的連桿軸頸7與第一傘齒輪8固定連接,第一傘齒輪8與第二傘齒輪9嚙合,第二傘齒輪9連接有攪拌軸10,攪拌軸10連接有攪拌葉片11,攪拌葉片11位于清洗液內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





