[實(shí)用新型]一種復(fù)合陶瓷基微帶隔離器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721389807.4 | 申請(qǐng)日： | 2017-10-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN207282682U8 | 公開（公告）日： | 2018-06-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱小明;陳洋;薛新忠;高永全;王列松 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州華博電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01P1/36 | 分類號(hào)： | H01P1/36 |
| 代理公司： | 南京天華專利代理有限責(zé)任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇州市張家港市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 介質(zhì)陶瓷 鐵氧體基片 信號(hào)傳輸線 復(fù)合陶瓷 負(fù)載電阻 容置凹槽 微帶電路 中心金屬 隔離器 微帶 本實(shí)用新型 金屬化介質(zhì) 工作頻帶 基片表面 高功率 齊平 | ||
1.復(fù)合陶瓷基微帶隔離器，包括基片、設(shè)置在基片上的微帶電路及負(fù)載電阻，其特征在于：所述基片包括介質(zhì)陶瓷基片，介質(zhì)陶瓷基片上設(shè)有容置凹槽，容置凹槽中設(shè)有鐵氧體基片，鐵氧體基片與介質(zhì)陶瓷基片表面齊平，微帶電路包括設(shè)置在鐵氧體基片上的中心金屬結(jié)，介質(zhì)陶瓷基片上設(shè)有三根信號(hào)傳輸線，信號(hào)傳輸線通過金屬化介質(zhì)橋與中心金屬結(jié)相連接，其中一根信號(hào)傳輸線與負(fù)載電阻相連接。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合陶瓷基微帶隔離器，其特征在于：所述鐵氧體基片燒結(jié)在介質(zhì)陶瓷基片上凹槽中。
3.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合陶瓷基微帶隔離器，其特征在于：所述介質(zhì)陶瓷基片為氮化鋁陶瓷基片或是氧化鋁陶瓷基片、或高阻硅陶瓷基片。
4.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合陶瓷基微帶隔離器，其特征在于：所述金屬化介質(zhì)橋?yàn)榻饘倩埘啺坊蚪饘倩X或金屬化二氧化硅介質(zhì)橋。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的復(fù)合陶瓷基微帶隔離器，其特征在于：所述負(fù)載電阻為半圓形或矩形或扇形薄膜電阻。
6.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的復(fù)合陶瓷基微帶隔離器，其特征在于：所述微帶電路通過真空鍍膜、或電鍍、或光刻、或蝕刻工藝制作于基片正面。
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