[實用新型]一種納米管LED有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721381922.7 | 申請日： | 2017-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN207572392U | 公開（公告）日： | 2018-07-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊為家;吳質(zhì)樸;何畏;陳強(qiáng) | 申請（專利權(quán)）人： | 江門市奧倫德光電有限公司;五邑大學(xué) |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/06;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米管 外延層 金屬納米粒子 出光效率 空間間隙 襯底 表面等離子體 本實用新型 高反射特性 納米管表面 納米管結(jié)構(gòu) 納米管陣列 光學(xué)特性 空心結(jié)構(gòu) 納米粒子 散熱性能 鍍金屬 高光效 小電流 附著 刻蝕 內(nèi)壁 外壁 反射 發(fā)光 垂直 側(cè)面 散發(fā) | ||
1.一種納米管LED，包括襯底和設(shè)置在襯底上的外延層，其特征在于：所述外延層垂直刻蝕有多個具有相同結(jié)構(gòu)的納米管，所述外延層從下往上依次為緩沖層、u－GaN層、n－GaN層、多量子阱層、P－GaN層、ITO層，所述納米管整體從上到下刻蝕在所述P－GaN層、多量子阱層、n－GaN層中，所述納米管的內(nèi)壁和/或外壁附著有金屬納米粒子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米管LED，其特征在于：所述的納米管呈陣列式排布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米管LED，其特征在于：所述金屬納米粒子層為由Ag納米粒子組成的Ag納米粒子層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種納米管LED，其特征在于：所述納米管的外徑范圍為：100－990nm，內(nèi)徑范圍為：50－600nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種納米管LED，其特征在于：所述納米管之間的間距范圍為：200－2500nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1－5任一所述的一種納米管LED，其特征在于：所述納米管和金屬納米粒子之間設(shè)置有SiO2層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種納米管LED，其特征在于：所述SiO2層的厚度范圍為：5－10nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種納米管LED，其特征在于：所述納米管的截面為圓形、方形或正多邊形。
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