[實用新型]一種新型P-GaN薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721381870.3 | 申請日： | 2017-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN207338421U | 公開（公告）日： | 2018-05-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊為家;吳質(zhì)樸;何畏;陳強 | 申請（專利權(quán)）人： | 江門市奧倫德光電有限公司;五邑大學 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/10;H01L33/32;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 廣州嘉權(quán)專利商標事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 新型 gan 薄膜 結(jié)構(gòu) led 芯片 | ||
1.一種新型P-GaN薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片，其特征在于：包括襯底、n型半導體層、量子阱和p型半導體層，所述襯底上依次設(shè)置n型半導體層、量子阱和p型半導體層；所述p型半導體層包括底層P-GaN層、頂層P-GaN層和由Ag納米粒子形成的Ag金屬膜，所述Ag金屬膜位于底層P-GaN層和頂層P-GaN層之間，所述底層P-GaN層設(shè)置在量子阱上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型P-GaN薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片，其特征在于：所述底層P-GaN層和Ag金屬膜的接觸表面為平整的層狀結(jié)構(gòu)或者非平整的島狀結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型P-GaN薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片，其特征在于：所述頂層P-GaN層和Ag金屬膜的接觸面的對向表面為平整的層狀結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型P-GaN薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片，其特征在于：所述n型半導體層為N-GaN層，所述量子阱為InGaN/GaN量子阱。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型P-GaN薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片，其特征在于：所述襯底由藍寶石材料制作而成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型P-GaN薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片，其特征在于：還包括緩沖層，所述緩沖層設(shè)置于襯底和n型半導體層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種新型P-GaN薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片，其特征在于：所述緩沖層由AlGaN材料制作而成。
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