[實用新型]一種具有電流阻擋層的LED外延結構有效
| 申請號： | 201721381842.1 | 申請日： | 2017-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN207338417U | 公開（公告）日： | 2018-05-08 |
| 發明（設計）人： | 馬昆旺;吳質樸;何畏;陳強 | 申請（專利權）人： | 江門市奧倫德光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 電流 阻擋 led 外延 結構 | ||
1.一種具有電流阻擋層的LED外延結構，包括襯底(6)以及依次層疊在所述襯底上的未摻雜的GaN緩沖層(1)、N型GaN層(2)、有源層(3)和P型GaN層(5)，所述P型GaN層(5)包括依次層疊的LP層(51)和HP層(52)，其特征在于：還包括層疊在所述有源層(3)和LP層(51)之間的電流阻擋層(4)，所述電流阻擋層(4)包括一層或一層以上的分阻擋層(43)，所述分阻擋層(43)包括摻Mg的AlGaN勢壘層(41)和GaN勢阱層(42)。
2.根據權利要求1所述的一種具有電流阻擋層的LED外延結構，其特征在于：所述電流阻擋層(4)的厚度為0.04-0.07μm。
3.根據權利要求1所述的一種具有電流阻擋層的LED外延結構，其特征在于：所述分阻擋層(43)中AlGaN勢壘層(41)和GaN勢阱層(42)的厚度比在2:1到3:1之間。
4.根據權利要求1所述的一種具有電流阻擋層的LED外延結構，其特征在于：所述AlGaN勢壘層(41)的厚度為0.005-0.006μm，所述GaN勢阱層(42)的厚度為0.002-0.003μm。
5.根據權利要求1所述的一種具有電流阻擋層的LED外延結構，其特征在于：所述電流阻擋層(4)包括4-6層分阻擋層(43)。
6.根據權利要求1所述的一種具有電流阻擋層的LED外延結構，其特征在于:所述分阻擋層(43)的厚度為0.03-0.06μm。
7.根據權利要求1所述的一種具有電流阻擋層的LED外延結構，其特征在于：所述N型GaN層(2)的厚度為3-4μm，所述P型GaN層(5)的厚度為0.18-0.26μm。
8.根據權利要求1所述的一種具有電流阻擋層的LED外延結構，其特征在于：所述GaN緩沖層(1)的厚度為1.5-3μm。
9.根據權利要求1-8任一所述的一種具有電流阻擋層的LED外延結構，其特征在于：有源層(3)的厚度為0.1-0.3μm，包括間隔交替的InGaN勢阱層(31)和GaN勢壘層(32)。
10.根據權利要求9所述的一種具有電流阻擋層的LED外延結構，其特征在于：所述InGaN勢阱層(31)和GaN勢壘層(32)間隔交替的次數為8-15。
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