[實用新型]一種光電探測器有效

申請號：	201721381798.4	申請日：	2017-10-24
公開（公告）號：	CN207338409U	公開（公告）日：	2018-05-08
發明（設計）人：	楊為家;吳質樸;何畏;陳強	申請（專利權）人：	江門市奧倫德光電有限公司;五邑大學
主分類號：	H01L31/09	分類號：	H01L31/09
代理公司：	廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205	代理人：	梁嘉琦
地址：	529000 廣東***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種光電探測器
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【權利要求書】：

1.一種光電探測器，其特征在于：包括襯底層(13)、設置于襯底層(13)正面的電極(15)、設置于電極(15)與襯底層(13)之間的Pt納米粒子層(14)、設置于襯底層(13)背面的Al金屬反射層(11)，和設置于襯底層(13)與Al金屬反射層(11)之間的Ag或者Pt納米粒子層(12)。

2.根據權利要求1所述的一種光電探測器，其特征在于，所述電極(15)為Au電極(15)，其厚度為100－300nm。

3.根據權利要求1所述的一種光電探測器，其特征在于，所述襯底層(13)的材料為以液相法生長的InGaAs、InAlAs或者InGaAsP單晶棒，襯底層(13)的厚度為550－600um，襯底層(13)的X射線搖擺曲線半高寬為30－50arcsec，襯底層(13)的表面均方根粗糙度小于1nm；所述單晶棒的直徑為2－6英寸，其純度為99.995％以上。

4.根據權利要求1所述的一種光電探測器，其特征在于，所述Ag或者Pt納米粒子層(12)包括一層直徑為2－150nm的Ag或者Pt納米點。

5.根據權利要求1所述的一種光電探測器，其特征在于，所述Al金屬反射層(11)厚度為750－1500nm。

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