[實用新型]一種單向浪涌增強型的瞬態電壓抑制二極管

有效

• 申請號: 201721380877.3
• 申請日: 2017-10-25
• 公開（公告）號: CN207624706U
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 張鵬
• 申請（專利權）人: 啟東吉萊電子有限公司
• 主分類號: H01L29/87
• 分類號: H01L29/87;H01L29/06
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 盧海洋

一種單向浪涌增強型的瞬態電壓抑制二極管，包括P型材料片，P型材料片有正面N+區，P型材料片的背面有背面N+型深結區和背面P+區的深度，背面N+型深結區的深度大于背面P+區的深度，第氧化層形成于P型材料片的表面并覆蓋部分正面N+區反型層，正面N+區的表面刻蝕有金屬化電極，金屬化電極的寬度范圍延伸至氧化層，背面整個面全部金屬化。本實用新型采用N+PN+P+四層構成的單向單向瞬態電壓抑制二極管的結構，正面N+加高電位后，由于背面存在N+的電導調制效應，與常規單向瞬態電壓抑制二極管在浪涌特性上存在優勢，單向瞬態電壓抑制二極管呈現出浪涌增強的特性，在外界浪涌電流加在器件上能承受更高的電流能力。

技術領域

本實用新型屬于半導體器件技術領域，具體涉及一種單向浪涌增強型的瞬態電壓抑制二極管。

背景技術

傳統的單向瞬態電壓抑制二極管器件由于是單個PN結構成，背面有一層P+形成歐姆接觸，傳統的單向TVS器件在受到外界浪涌沖擊時，無法形成浪涌增強的特性，導致承受浪涌的能力有限。

本實用新型所要解決的技術問題是單向瞬態電壓抑制二極管呈現出浪涌增強的特性，在外界浪涌電流加在器件上能承受更高的電流能力。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是單向瞬態電壓抑制二極管呈現出浪涌增強的特性，在外界浪涌電流加在器件上能承受更高的電流能力。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是：一種單向浪涌增強型的瞬態電壓抑制二極管，包括P型材料片，P型材料片有正面N+區，P型材料片的背面有背面N+型深結區和背面P+區的深度，背面N+型深結區的深度大于背面P+區的深度，第氧化層形成于P型材料片的表面并覆蓋部分正面N+區反型層，正面N+區的表面刻蝕有金屬化電極，金屬化電極的寬度范圍延伸至氧化層，背面整個面全部金屬化。

進一步地，P型材料片襯底的電阻率為0.01~0.4Ω·cm。

進一步地，正面N+區的結深在15-25um，背面N+型深結區的結深在20-30um，背面P+區的結深在10-15um。

進一步地，金屬化電極為AL-Ti-Ni-Ag合金。

本實用新型的優點是：本實用新型采用N+PN+P+四層構成的單向瞬態電壓抑制二極管的結構，正面N+加高電位后，由于背面存在N+的電導調制效應，與常規單向瞬態電壓抑制二極管在浪涌特性上存在優勢，單向瞬態電壓抑制二極管呈現出浪涌增強的特性，在外界浪涌電流加在器件上能承受更高的電流能力。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細描述。

圖1是本實用新型的結構示意圖。

其中：1，P型材料片、2，正面N+區、3，背面N+型深結區、4、背面P+區。

具體實施方式

如圖1所示，一種單向浪涌增強型的瞬態電壓抑制二極管，包括P型材料片1， P型材料片1襯底的電阻率為0.01~0.4Ω·cm，P型材料片1有正面N+區2，P型材料片1的背面有背面N+型深結區3和背面P+區4的深度，背面N+型深結區3的深度大于背面P+區4的深度，第氧化層形成于P型材料片1的表面并覆蓋部分正面N+區2反型層，正面N+區2的結深在15-25um，所述背面N+型深結區3的結深在20-30um，背面P+區4的結深在10-15um，正面N+區2的表面刻蝕有金屬化電極，金屬化電極的寬度范圍延伸至氧化層，背面整個面全部金屬化，金屬化電極為AL-Ti-Ni-Ag合金。