[實(shí)用新型]化學(xué)氣相沉積設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721380853.8
• 申請日: 2017-10-24
• 公開（公告）號: CN207418858U
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭國平;楊暉;李海歐;曹剛;肖明;郭光燦
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/448
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 程紓孟

1.一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括：

反應(yīng)腔體；

真空提供裝置，所述真空提供裝置提供所述反應(yīng)腔體內(nèi)的真空；

源供給裝置，所述源供給裝置將反應(yīng)氣體供給到所述反應(yīng)腔體中；

管狀加熱器，所述管狀加熱器處于所述反應(yīng)腔體內(nèi)，具有開放的兩端和用于容納生長基底的管腔；

催化劑傳送裝置，所述催化劑傳送裝置處于所述反應(yīng)腔體中，用于將催化劑傳送經(jīng)過所述管腔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，

所述管狀加熱器的橫截面為矩形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，

所述管狀加熱器水平安置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備還包括生長基底相對位置調(diào)節(jié)裝置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，

所述生長基底相對位置調(diào)節(jié)裝置是加熱器高度調(diào)節(jié)裝置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，

所述反應(yīng)腔體是冷壁反應(yīng)腔體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，

所述反應(yīng)腔體具有雙層夾壁水冷外殼。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，

所述源供給裝置包括反應(yīng)源存儲器。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，

所述源供給裝置的源是液態(tài)源和/或氣態(tài)源。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，

所述源供給裝置包括用于液態(tài)源的反應(yīng)源存儲器和通過反應(yīng)源存儲器的載氣鼓泡器。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，

所述用于液態(tài)源的反應(yīng)源存儲器包括冷卻器。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，

所述冷卻器是半導(dǎo)體冷阱。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，所述源供給裝置將反應(yīng)氣體直接引入所述管腔中。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，

所述催化劑傳送裝置是卷對卷傳送帶，用于使催化劑經(jīng)由所述管狀加熱器的一端進(jìn)入所述管腔，并經(jīng)由所述管狀加熱器的另一端離開所述管腔。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，

所述管狀加熱器的橫截面為矩形，底面用于放置生長基底，

所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備還包括生長基底相對位置調(diào)節(jié)裝置，所述生長基底相對位置調(diào)節(jié)裝置是加熱器高度調(diào)節(jié)裝置，

所述反應(yīng)腔體具有雙層夾壁水冷外殼，

所述源供給裝置的源是液態(tài)源和氣態(tài)源，

所述源供給裝置包括用于液態(tài)源的反應(yīng)源存儲器和通過所述反應(yīng)源存儲器的載氣鼓泡器，所述反應(yīng)源存儲器包括半導(dǎo)體冷阱，

所述催化劑傳送裝置是卷對卷傳送帶，用于使催化劑經(jīng)由所述管狀加熱器的一端進(jìn)入所述管腔，并經(jīng)由所述管狀加熱器的另一端離開所述管腔。