[實(shí)用新型]一種晶體生長裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721368577.3
• 申請(qǐng)日: 2017-10-23
• 公開（公告）號(hào): CN207552491U
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李中波;唐華純
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海御光新材料科技股份有限公司
• 主分類號(hào): C30B11/00
• 分類號(hào): C30B11/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種晶體生長裝置，其特征在于，包括：

爐體，所述爐體包括位于上部的高溫區(qū)、中部的中溫區(qū)以及下部的低溫區(qū)；

位置于爐體內(nèi)的坩堝；

晶體熔液盛裝管；

設(shè)置在所述爐體下方的升降裝置，以控制位于所述升降裝置上的晶體熔液盛裝管的升降，進(jìn)而控制晶體熔液盛裝管在所述高溫區(qū)與所述低溫區(qū)之間往復(fù)運(yùn)動(dòng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述升降裝置包括：

支架，包括用于托舉所述晶體熔液盛裝管的臺(tái)面，支撐臺(tái)面的升降的支撐臂；

旋轉(zhuǎn)電機(jī)，與所述晶體熔液盛裝管連接，用于旋轉(zhuǎn)所述晶體熔液盛裝管，以使得其內(nèi)的晶體熔液均勻分布；

升降電機(jī)，與支撐臂連接，升降電機(jī)旋轉(zhuǎn)以升降所述支撐臂。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：所述爐體外周側(cè)的加熱裝置，所述加熱裝置包括位于高溫區(qū)內(nèi)的高溫發(fā)熱絲及位于中溫區(qū)的中溫發(fā)熱絲。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述加熱裝置在所述高溫區(qū)和所述中溫區(qū)均設(shè)置有控溫裝置，所述控溫裝置為控溫?zé)犭娕肌?/p>

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述坩堝下部設(shè)置有流通口，所述流通口與所述晶體熔液盛裝管相匹配，用于將晶體熔液注入晶體熔液盛裝管以形成晶體。