[實用新型]一種低應力壓接式IGBT陶瓷管殼上蓋

有效

• 申請號: 201721359992.2
• 申請日: 2017-10-21
• 公開（公告）號: CN207381408U
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 陳國賢;徐宏偉;張瓊;陳強
• 申請（專利權）人: 江陰市賽英電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L23/00;H01L29/739
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 趙海波

1.一種低應力壓接式封裝IGBT陶瓷管殼上蓋，它包含有集電極(1)和集電極法蘭(2)，所述集電極法蘭(2)同心焊接在集電極(1)的外緣，其特征在于：在所述集電極(1)下表面雕刻有多個均勻間隔的集電極臺架(1.1)，所述集電極臺架(1.1)的位置同管殼底座上發射極臺架的位置一一對應，相鄰兩個集電極臺架(1.1)之間形成有溝槽(1.2)，在所述集電極(1)下表面的兩側對稱設置有定位擋板(1.3)。

2.根據權利要求1所述的一種低應力壓接式封裝IGBT陶瓷管殼上蓋，其特征在于：所述溝槽(1.2)的深度和寬度可以通過仿真試驗確定最佳數值。